Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 153

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора216нC Код производителяIPT007N06NATMA1 КорпусPG-HSOF-8
1 189.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT007N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300А; Idm: 1200А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора178нC Код производителяIPT012N08N5ATMA1 КорпусPG-HSOF-8
2 079.93 
Доступность: 1961 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPT012N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 279А; Idm: 1200А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора169нC Код производителяIPT015N10N5ATMA1 КорпусPG-HSOF-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT015N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 243А; Idm: 1200А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора156нC Код производителяIPT020N10N3ATMA1 КорпусPG-HSOF-8
2 130.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT020N10N3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 212А; Idm: 1200А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора70нC Код производителяIPT029N08N5ATMA1 КорпусPG-HSOF-8
840.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT029N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 676А; 167Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора69нC Код производителяIPT059N15N3ATMA1 КорпусPG-HSOF-8
1 287.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT059N15N3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 110А; Idm: 620А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора86нC Код производителяIPT210N25NFDATMA1 КорпусPG-HSOF-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT210N25NFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 54А; Idm: 276А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора31нC Код производителяIPT60R022S7XTMA1 КорпусPG-HSOF-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT60R022S7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; полевой; 600В; 23А; Idm: 375А" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPZ40N04S53R1ATMA1 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
272.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPZ40N04S53R1ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 71Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора23нC Код производителяIPZ40N04S5-5R4 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD
220.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPZ40N04S5-5R4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора13,7нC Код производителяIPZ40N04S5-8R4 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPZ40N04S5-8R4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 34Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора52нC Код производителяIPZ40N04S5L-2R8 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPZ40N04S5L-2R8, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 71Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора29нC Код производителяIPZ40N04S5L-4R8 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPZ40N04S5L-4R8, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC Код производителяIPZ40N04S5L-7R4 КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPZ40N04S5L-7R4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 34Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора255нC Код производителяIRF100S201 КорпусD2PAK МонтажSMD
688.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF100S201, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 136А; Idm: 690А; 441Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIRF1010ESTRLPBF КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
305.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF1010ESTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 59А; Idm: 330А; 200Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора0,12мкC Код производителяIRF1010NSTRLPBF КорпусD2PAK
283.16 
Доступность: 284 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF1010NSTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 60А; 180Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIRF1018ESTRLPBF КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
291.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF1018ESTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 56А; Idm: 315А; 110Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIRF1310NSTRLPBF КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
361.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF1310NSTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 30А; Idm: 140А; 160Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,27мкC Код производителяIRF135S203 КорпусD2PAK МонтажSMD
737.24 
Доступность: 796 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF135S203, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 135В; 91А; Idm: 512А; 441Вт; D2PAK" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж