Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 150

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяIPDD60R080G7XTMA1 КорпусPG-HDSOP-10-1
1 206.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R080G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 29А; Idm: 83А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC Код производителяIPDD60R102G7XTMA1 КорпусPG-HDSOP-10-1
969.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R102G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 23А; Idm: 66А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяIPDD60R125G7XTMA1 КорпусPG-HDSOP-10-1
583.33 
Доступность: 42 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R125G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 20А; Idm: 54А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяIPDD60R150G7XTMA1 КорпусPG-HDSOP-10-1
704.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R150G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 16А; Idm: 45А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяIPDD60R190G7XTMA1 КорпусPG-HDSOP-10-1
567.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R190G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 13А; Idm: 36А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора67нC Код производителяIPL60R065P7AUMA1 КорпусPG-VSON-4
1 047.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R065P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 32А; 201Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора67нC Код производителяIPL60R075CFD7 КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD
1 721.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R075CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 189Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора51нC Код производителяIPL60R085P7AUMA1 КорпусPG-VSON-4
937.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R085P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 24А; 154Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора42нC Код производителяIPL60R104C7AUMA1 КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD
937.07 
Доступность: 2550 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPL60R104C7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 15А; 122Вт; PG-VSON-4" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора45нC Код производителяIPL60R105P7AUMA1
802.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R105P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 137Вт; PG-VSON-4; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора36нC Код производителяIPL60R125P7AUMA1
656.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R125P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 17А; 111Вт; PG-VSON-4; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPL60R180P6AUMA1 КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
639.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R180P6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 22,4А; 176Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора28нC Код производителяIPL60R185CFD7 КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD
523.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R185CFD7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 85Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPL60R199CPAUMA1 КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
718.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R199CPAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16,4А; 139Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPL60R1K5C6SATMA1 КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
156.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R1K5C6SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3А; 26,6Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPL60R210P6AUMA1 КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
615.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R210P6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19,2А; 151Вт; PG-VSON-4" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18нC Код производителяIPL60R285P7AUMA1
305.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R285P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 59Вт; PG-VSON-4; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPL60R299CPAUMA1 КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
550.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R299CPAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11,1А; 96Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPL60R2K1C6SATMA1 КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
151.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R2K1C6SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,3А; 21,6Вт; PG-VSON-4" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC Код производителяIPL60R365P7AUMA1 КорпусPG-VSON-4
258.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL60R365P7AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 46Вт; PG-VSON-4; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж