Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 149

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
IPD80R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R2K0P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC Код производителяIPD80R2K0P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3
221.94 ₽
Доступность: 1460 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 22Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R2K4P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,5нC Код производителяIPD80R2K4P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3
210.88 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 22Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 84Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R360P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC Код производителяIPD80R360P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3
495.75 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 84Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R3K3P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC Код производителяIPD80R3K3P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3
189.63 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R450P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 7,1А; 73Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R450P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора24нC Код производителяIPD80R450P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R450P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 7,1А; 73Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 13Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R4K5P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC Код производителяIPD80R4K5P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3
182.82 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 13Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 51Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R750P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC Код производителяIPD80R750P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 51Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD
0.0
IPD80R900P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC Код производителяIPD80R900P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3
297.62 ₽
Доступность: 2456 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

IPD90N03S4L02ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 30В; 90А; 136Вт
0.0
IPD90N03S4L02
Вид каналаобогащенный Заряд затвора110нC Код производителяIPD90N03S4L02ATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90N03S4L02ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 30В; 90А; 136Вт" 1.

IPD90N04S304ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 90А; 136Вт
0.0
IPD90N04S304
Вид каналаобогащенный Заряд затвора60нC Код производителяIPD90N04S304ATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90N04S304ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 90А; 136Вт" 1.

IPD90N04S404ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 81А; Idm: 360А
0.0
IPD90N04S404
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора20нC Код производителяIPD90N04S404ATMA1 КорпусPG-TO252-3-313
271.26 ₽
Доступность: 2209 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD90N04S404ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 81А; Idm: 360А" 1.

IPD90N04S405ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 61А; Idm: 344А
0.0
IPD90N04S405ATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18нC Код производителяIPD90N04S405ATMA1 КорпусPG-TO252-3-313
181.12 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90N04S405ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 61А; Idm: 344А" 1.

IPD90N06S407ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 63А; Idm: 360А; 79Вт
0.0
IPD90N06S407ATMA2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC Код производителяIPD90N06S407ATMA2 КорпусPG-TO252-3-11
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90N06S407ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 63А; Idm: 360А; 79Вт" 1.

IPD90R1K2C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD90R1K2C3ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPD90R1K2C3ATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
302.72 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90R1K2C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD90R1K2C3BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3
0.0
IPD90R1K2C3BTMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPD90R1K2C3BTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
246.60 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90R1K2C3BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

IPD95R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 3,7А; 52Вт; DPAK; ESD
0.0
IPD95R1K2P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора15нC Код производителяIPD95R1K2P7ATMA1
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD95R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 3,7А; 52Вт; DPAK; ESD" 1.

IPD95R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 2,4А; 37Вт; DPAK; ESD
0.0
IPD95R2K0P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора10нC Код производителяIPD95R2K0P7ATMA1
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD95R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 2,4А; 37Вт; DPAK; ESD" 1.

IPD95R450P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK; ESD
0.0
IPD95R450P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора35нC Код производителяIPD95R450P7ATMA1
403.91 ₽
Доступность: 1297 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD95R450P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK; ESD" 1.

IPD95R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 5,5А; 73Вт; DPAK; ESD
0.0
IPD95R750P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора23нC Код производителяIPD95R750P7ATMA1
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD95R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 5,5А; 73Вт; DPAK; ESD" 1.

IPDD60R050G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 47А; Idm: 135А
0.0
IPDD60R050G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC Код производителяIPDD60R050G7XTMA1 КорпусPG-HDSOP-10-1
1 442.18 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R050G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 47А; Idm: 135А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж