Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 152

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
IPN60R2K1CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,4А; 5Вт; PG-SOT223
0.0
IPN60R2K1CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,7нC Код производителяIPN60R2K1CEATMA1 КорпусPG-SOT223 МонтажSMD
132.65 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN60R2K1CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,4А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN60R360P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; Idm: 26А; 7Вт; PG-SOT223
0.0
IPN60R360P7SATMA1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Код производителяIPN60R360P7SATMA1 КорпусPG-SOT223 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN60R360P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; Idm: 26А; 7Вт; PG-SOT223" 1.

IPN60R3K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 1,6А; Idm: 3,9А; 5Вт; PG-SOT223
0.0
IPN60R3K4CEATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPN60R3K4CEATMA1 КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN60R3K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 1,6А; Idm: 3,9А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN60R600P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN60R600P7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC Код производителяIPN60R600P7SATMA1 КорпусPG-SOT223
183.67 ₽
Доступность: 2784 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPN60R600P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN70R1K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 4,7А; 5Вт; PG-SOT223
0.0
IPN70R1K0CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора15,2нC Код производителяIPN70R1K0CEATMA1 КорпусPG-SOT223 МонтажSMD
323.98 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN70R1K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 4,7А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN70R1K5CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,4А; 5Вт; PG-SOT223
0.0
IPN70R1K5CE
Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC Код производителяIPN70R1K5CEATMA1 КорпусPG-SOT223 МонтажSMD
96.94 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN70R1K5CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,4А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

IPN70R360P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 7,2Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN70R360P7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора16,4нC Код производителяIPN70R360P7SATMA1 КорпусPG-SOT223
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN70R360P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 7,2Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN70R900P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,5А; 6,5Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN70R900P7S
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,8нC Код производителяIPN70R900P7SATMA1 КорпусPG-SOT223
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN70R900P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,5А; 6,5Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 6,8Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R1K2P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора11нC Код производителяIPN80R1K2P7ATMA1
190.48 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 6,8Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R1K4P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора10нC Код производителяIPN80R1K4P7ATMA1
226.19 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 6,3Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R2K4P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора8нC Код производителяIPN80R2K4P7ATMA1
181.97 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 6,3Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 6,1Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R3K3P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора6нC Код производителяIPN80R3K3P7ATMA1
147.11 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 6,1Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R4K5P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора4нC Код производителяIPN80R4K5P7ATMA1
164.97 ₽
Доступность: 1986 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPN80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R600P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 7,4Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R600P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора20нC Код производителяIPN80R600P7ATMA1
295.92 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R600P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 7,4Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 7,2Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R750P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора17нC Код производителяIPN80R750P7ATMA1
263.61 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 7,2Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN80R900P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора15нC Код производителяIPN80R900P7ATMA1
277.21 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN95R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 3,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN95R1K2P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора15нC Код производителяIPN95R1K2P7ATMA1
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN95R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 3,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN95R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 2,4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN95R2K0P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора10нC Код производителяIPN95R2K0P7ATMA1
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN95R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 2,4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPN95R3K7P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 1,4А; 6Вт; PG-SOT223; ESD
0.0
IPN95R3K7P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора6нC Код производителяIPN95R3K7P7ATMA1
163.27 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN95R3K7P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 1,4А; 6Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

IPT004N03LATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300А; Idm: 1200А; 300Вт
0.0
IPT004N03LATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора53нC Код производителяIPT004N03LATMA1 КорпусPG-HSOF-8
880.95 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT004N03LATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300А; Idm: 1200А; 300Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж