Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 153

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора216нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
989.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT007N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300А; Idm: 1200А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора178нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
1 915.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT012N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 279А; Idm: 1200А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора169нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT015N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 243А; Idm: 1200А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора156нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
1 961.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT020N10N3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 212А; Idm: 1200А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора70нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
788.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT029N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 676А; 167Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора69нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
1 259.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT059N15N3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 110А; Idm: 620А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора86нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT210N25NFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 54А; Idm: 276А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора31нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPT60R022S7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; полевой; 600В; 23А; Idm: 375А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
242.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPZ40N04S53R1ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 71Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора23нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
203.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPZ40N04S5-5R4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора13,7нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPZ40N04S5-8R4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 34Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора52нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPZ40N04S5L-2R8, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 71Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора29нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPZ40N04S5L-4R8, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 48Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPZ40N04S5L-7R4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 34Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора255нC КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
633.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF100S201, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 136А; Idm: 690А; 441Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
272.17 
Доступность: 273 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF1010ESTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 59А; Idm: 330А; 200Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора0,12мкC КорпусD2PAK МонтажSMD
208.72 
Доступность: 666 шт.
 

Минимальное количество для товара "IRF1010NSTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 60А; 180Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
262.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF1018ESTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 56А; Idm: 315А; 110Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
208.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF1310NSTRLPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 30А; Idm: 140А; 160Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,27мкC КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
607.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IRF135S203, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 135В; 91А; Idm: 512А; 441Вт; D2PAK" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж