Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 147

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Код производителяIPD60R3K3C6ATMA1 КорпусPG-TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R3K3C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,1А; Idm: 4А; 18,1Вт; PG-TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD60R400CEAUMA1 КорпусPG-TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R400CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9,3А; Idm: 30А; 112Вт; PG-TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD60R600C6ATMA1 КорпусPG-TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R600C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,6А; Idm: 19А; 63Вт; PG-TO252" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC Код производителяIPD60R600P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3
261.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R600P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC Код производителяIPD60R600P7SAUMA1 КорпусPG-TO252-3
183.67 
Доступность: 1990 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD60R600P7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 30Вт; PG-TO252-3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Код производителяIPD60R600PFD7SAUMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD60R600PFD7SAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 600В; 4А; Idm: 14А" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора20,5нC Код производителяIPD60R650CEAUMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
134.35 
Доступность: 2151 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD60R650CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,2А; Idm: 19А; 82Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD640N06LGBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD640N06LGBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS®; полевой; 60В; 12А; Idm: 72А; 47Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R190C7ATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R190C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,2А; 28Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R1K4CFDBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
162.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R1K4CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2,8А; 28,4Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R225C7ATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R225C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 11А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R250C6XTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R250C6XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16,1А; 208,3Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R250E6XTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
527.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R250E6XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16,1А; 208Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R380C6BTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
319.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R380C6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R380E6ATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
403.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R380E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R380E6BTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
323.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R380E6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R400CEAUMA1 КорпусPG-TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
62.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R400CEAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 9,5А; Idm: 30А; 118Вт; PG-TO252" 2500.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R420CFDATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
342.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R420CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 83,3Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R420CFDBTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
342.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R420CFDBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 83,3Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD65R600C6BTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
250.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD65R600C6BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж