Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.170

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIE822DF-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора78нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
319.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE822DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 50А; Idm: 80А; 104Вт" 3000.

0.0
SIHB053N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора92нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
983.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB053N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 47А; Idm: 128А; 278Вт" 1.

0.0
SIHB065N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора74нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
1 007.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB065N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 25А; Idm: 116А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB068N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
934.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB068N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 26А; Idm: 115А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB100N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
779.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB100N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19А; Idm: 73А; 208Вт" 1.

0.0
SIHB11N80AE-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
313.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB11N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SIHB11N80E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора88нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
545.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB11N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; Idm: 32А; 179Вт" 1.

0.0
SIHB120N60E-T5-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
942.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB120N60E-T5-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт" 1.

0.0
SIHB125N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
826.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB125N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт" 1.

0.0
SIHB12N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
197.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB12N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; 147Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SIHB12N60ET1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
325.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB12N60ET1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; Idm: 27А; 147Вт" 1.

0.0
SIHB12N65E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
479.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB12N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 28А; 156Вт" 1.

0.0
SIHB15N50E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
436.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB15N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9,2А; Idm: 28А; 156Вт" 1.

0.0
SIHB15N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора78нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
398.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB15N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 180Вт" 1.

0.0
SIHB15N65E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора96нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
569.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB15N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 38А; 34Вт" 1.

0.0
SIHB17N80AE-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
433.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB17N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10А; Idm: 32А; 179Вт" 1.

0.0
SIHB17N80E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
962.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB17N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10А; Idm: 45А; 208Вт" 1.

0.0
SIHB180N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
537.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB180N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 44А; 156Вт" 1.

0.0
SIHB20N50E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора92нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
441.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB20N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; Idm: 42А; 179Вт" 1.

0.0
SIHB21N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
670.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB21N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; Idm: 53А; 227Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж