Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 249

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSI4178DY-T1-GE3 КорпусSO8
98.81 
Доступность: 461 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4178DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,7А; 5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC Код производителяSI4186DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4186DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35,8А; Idm: 70А; 6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора67нC Код производителяSI4190ADY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4190ADY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 18,4А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSI4202DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4202DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,1А; Idm: 50А; 2,6Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяSI4204DY-T1-GE3 КорпусSO8
348.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4204DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 15,5А; Idm: 50А; 2,1Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSI4214DDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4214DDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,5А; Idm: 30А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC Код производителяSI4368DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4368DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 25А; Idm: 70А; 3,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSI4386DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4386DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 16А; Idm: 50А; 3,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSI4386DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4386DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 16А; Idm: 50А; 3,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSI4392ADY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4392ADY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 21,5А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSI4408DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4408DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 21А; Idm: 60А; 3,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSI4408DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4408DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 21А; Idm: 60А; 3,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSI4420BDY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4420BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 13,5А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSI4420BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4420BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 13,5А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI4426DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4426DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 8,5А; Idm: 40А; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSI4430BDY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4430BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 60А; 3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSI4430BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4430BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 60А; 3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16,5нC Код производителяSI4434ADY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4434ADY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 4,1А; Idm: 25А; 6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI4434DY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4434DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 3А; Idm: 30А; 3,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI4434DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4434DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 3А; Idm: 30А; 3,1Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж