Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 252

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4896DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 9,5А; Idm: 50А; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4896DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 9,5А; Idm: 50А; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5418DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 40А; 31Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5424DC-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 40А; 6,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5442DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 25А; Idm: 60А; 31Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5448DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 25А; Idm: 100А; 31Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5458DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 20А; 10,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5468DC-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6А; Idm: 30А; 5,7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5476DU-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 12А; Idm: 25А; 31Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6954ADQ-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 3,4А; Idm: 20А; 1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6954ADQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 3,4А; Idm: 20А; 1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7104DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 35А; Idm: 60А; 52Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7104DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 35А; Idm: 60А; 52Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7106DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 19,5А; Idm: 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7106DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 19,5А; Idm: 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7108DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 22А; Idm: 60А; 3,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7108DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 22А; Idm: 60А; 3,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7110DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 21,1А; Idm: 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7110DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 21,1А; Idm: 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7112DN-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 17,8А; Idm: 60А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж