Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 255

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI7434DP-T1-E3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7434DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 3,8А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI7434DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7434DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 3,8А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSI7450DP-T1-E3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7450DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 5,3А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSI7450DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7450DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3,2А; Idm: 40А; 1,2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSI7450DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7450DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 5,3А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,5нC Код производителяSI7454DDP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7454DDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 21А; Idm: 40А; 19Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSI7454DP-T1-E3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7454DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 7,8А; Idm: 30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSI7454DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7454DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 7,8А; Idm: 30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26,5нC Код производителяSI7454FDP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7454FDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 23,5А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяSI7456CDP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7456CDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 27,5А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29,5нC Код производителяSI7456DDP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7456DDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 27,8А; Idm: 70А; 22,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяSI7456DP-T1-E3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7456DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 9,3А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяSI7456DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7456DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 5,7А; Idm: 40А; 1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC Код производителяSI7460DP-T1-E3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7460DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 18А; Idm: 40А; 5,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC Код производителяSI7460DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7460DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 18А; Idm: 40А; 5,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSI7464DP-T1-E3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7464DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 2,8А; Idm: 8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSI7464DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7464DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 2,8А; Idm: 8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC Код производителяSI7478DP-T1-E3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7478DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 15А; Idm: 60А; 1,2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC Код производителяSI7478DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7478DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 20А; Idm: 60А; 5,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC Код производителяSI7634BDP-T1-E3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7634BDP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А; 48Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж