Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 260

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
41.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIAA02DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 52А; Idm: 100А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
77.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIAA40DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 30А; Idm: 60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
45.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB406EDK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 6А; Idm: 15А; 10Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
38.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB422EDK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 9А; Idm: 25А; 13Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,5нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
149.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB452DK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 190В; 0,53А; 13Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
29.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB456DK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 6,3А; Idm: 7А; 13Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусPowerPAK® SC75 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIB912DK-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 5А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
264.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR104ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
321.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR104AEP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 90,5А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
247.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR140DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
279.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR140DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
258.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR170DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора200нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
287.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR220DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора153нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
247.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR390DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора188нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
269.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR392DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора188нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
180.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR392DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
253.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR402DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
354.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR500EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 421А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR5102EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 126А; Idm: 300А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
284.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR510EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 148А; Idm: 300А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж