Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 284

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
115.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS40DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 29А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
288.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS42DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 32,4А; Idm: 80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
238.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS42LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 31,2А; Idm: 80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
270.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS46DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 36,2А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
162.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS50DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 86А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
194.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS5108DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 55,9А; Idm: 120А" 6000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
267.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS54DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 148,5А; Idm: 300А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
157.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS5808DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 66,6А; Idm: 150А" 6000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
250.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS588DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 46,5А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
237.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS60DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 145,4А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
194.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS64DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
238.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS66DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 142,6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,3нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
238.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS70DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 125В; 24,8А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
203.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS72DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 150В; 20,4А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
151.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS76LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 54А; Idm: 120А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
229.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS78LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 53,3А; Idm: 120А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
221.71 
Доступность: 5944 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS80DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 169А; Idm: 300А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
203.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS92DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 250В; 9,9А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
165.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS94DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 200В; 15,6А; Idm: 25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,2нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
200.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS98DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 200В; 11,2А; Idm: 30А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж