Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 286

Производитель
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD08N50C3BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,6А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
87.16 
Доступность: 1344 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPD50N03S207GBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 136Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSC70, SOT363 МонтажSMD
94.04 
Доступность: 2893 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ1470AEH-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 6,7А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
105.50 
Доступность: 1712 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2308CES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 2А; Idm: 9А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
101.68 
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2318AES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,6А; 1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
109.33 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2362ES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4,3А; Idm: 17А; 1Вт; SOT23" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSOT23
106.27 
Доступность: 1792 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2364EES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,3А; 1Вт; SOT23; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
109.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2398ES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,6А; Idm: 2,5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
70.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ3426AEEV-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,3нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
110.09 
Доступность: 1738 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ3426EV-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 7А; Idm: 29А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусSO8 МонтажSMD
128.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4050EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 19А; Idm: 75А; 6Вт" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSO8 МонтажSMD
232.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4850EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,9А; 6,8Вт; SO8" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
199.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ7414CENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 18А; Idm: 72А; 62Вт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC КорпусPowerPAK® SC70
65.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA470EEJ-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,25А; 13,6Вт; PowerPAK® SC70" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусTO252 МонтажSMD
189.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD100N04-3M6L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 2000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора34нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
489.30 
Доступность: 1969 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQD25N15-52_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 16А; 107Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTO252 МонтажSMD
125.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD30N05-20L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 55В; 30А; Idm: 120А; 50Вт" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусTO252 МонтажSMD
81.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD40052EL_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 30А; Idm: 120А; 62Вт" 2000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора85нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
386.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50N04-4M5L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 136Вт; DPAK,TO252" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора34,6нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
316.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50N05-11L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 32А; 75Вт; DPAK,TO252" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж