Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 285

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
48.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIUD402ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 1А; Idm: 1,4А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
21.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIUD406ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 500мА; Idm: 0,8А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,71нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±5В
35.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIUD412ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 500мА; Idm: 1,5А" 1.

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBF4393LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
118.50 
Доступность: 2910 шт.
 

Минимальное количество для товара "SMMBF4393LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBFJ309LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
107.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ309LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBFJ310LT1G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
107.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ310LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяSMMBFJ310LT3G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ310LT3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
36.70 
Доступность: 7790 шт.
 

Минимальное количество для товара "SN7002NH6327XTSA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
32.11 
Доступность: 4937 шт.
 

Минимальное количество для товара "SN7002NH6433XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,16А; 0,36Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусSOT323 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
30.58 
Доступность: 2027 шт.
 

Минимальное количество для товара "SN7002WH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,23А; 0,5Вт; SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,8нC КорпусSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SP8K80TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 500мА; Idm: 2А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPB11N60C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; Idm: 33А; 125Вт; PG-TO263" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток800В
874.62 
Доступность: 275 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPB17N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 227Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
585.63 
Доступность: 763 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPB20N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPB20N60S5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; 208Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD03N50C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2А; Idm: 9,6А; 38Вт; PG-TO252" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD03N60C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2А; Idm: 9,6А; 38Вт; PG-TO252" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD04N60C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 2,8А; Idm: 13,5А; 50Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток800В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD04N80C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,5А; Idm: 12А; 63Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток800В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPD06N80C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,8А; Idm: 18А; 83Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж