Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 279

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
235.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA62DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 80А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
186.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA64DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
203.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA72DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
186.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA74DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 64,2А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора188нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
246.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA80DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 268А; Idm: 500А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
84.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA84BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 56А; Idm: 150А; 23Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
94.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA84DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 57,8А; Idm: 130А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
85.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA88BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32А; Idm: 90А; 11Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
64.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA88DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 36,4А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора153нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
275.23 
Доступность: 2408 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA90DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора153нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
269.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA90DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
89.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA96DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 65А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
165.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRC06DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
191.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRC10DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
233.94 
Доступность: 2937 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRC16DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
229.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRC18DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
732.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRS700DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 102А; Idm: 350А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
181.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS106DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 16А; Idm: 40А; 15Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
165.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS108DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 14,7А; Idm: 30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
119.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIS110DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 11,4А; Idm: 20А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж