Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 287

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора152нC Код производителяSQJ126EP-T1_GE3 МонтажSMD
181.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ126EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 500А; Idm: 776А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSQJ158EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
197.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ158EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; 45Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC Код производителяSQJ164ELP-T1_GE3 МонтажSMD
108.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ164ELP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 75А; Idm: 130А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSQJ170ELP-T1_GE3 МонтажSMD
103.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ170ELP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 63А; Idm: 66А; 136Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC Код производителяSQJ402EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
271.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ402EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 32А; 83Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC Код производителяSQJ422EP-T1_BE3 МонтажSMD
148.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ422EP-T1_BE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 75А; Idm: 300А; 83Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяSQJ476EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
218.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ476EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; 45Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSQJ486EP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
309.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ486EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 17А; 56Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSQJ858AEP-T1_GE3 КорпусPowerPAK® SO8
252.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ858AEP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 33А; 48Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC Код производителяSQJ868EP-T1_GE3 МонтажSMD
97.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJ868EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 58А; Idm: 230А; 48Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC Код производителяSQJA16EP-T1_GE3 МонтажSMD
170.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJA16EP-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 278А; Idm: 575А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора455нC Код производителяSQJQ130EL-T1_GE3 КорпусPowerPAK® 8x8L
432.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJQ130EL-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 445А; Idm: 445А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора272нC Код производителяSQJQ184E-T1_GE3 КорпусPowerPAK® 8x8L
540.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQJQ184E-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 430А; Idm: 1200А" 2000.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора95,5нC Код производителяSQM100N04-2M7_GE3 КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
629.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQM100N04-2M7_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 98А; 157Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,22мкC Код производителяSQM120N06-3M5L_GE3 КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
935.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQM120N06-3M5L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора125нC Код производителяSQM120N10-3M8_GE3 КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
775.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQM120N10-3M8_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC Код производителяSQS142ENW-T1_GE3 МонтажSMD
82.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQS142ENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 110А; Idm: 271А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC Код производителяSQSA82CENW-T1_GE3 МонтажSMD
55.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQSA82CENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 12А; Idm: 35А; 27Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSQSA84CENW-T1_GE3 МонтажSMD
55.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQSA84CENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 16А; Idm: 54А; 27Вт" 3000.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяSSM3K15AFS,LF(T КорпусSC75
42.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SSM3K15AFS,LF(T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,1А; 100мВт; SC75; ESD" 5.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж