Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n tht - страница 147

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N THT
Транзисторы с каналом N SMD
Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Монтаж
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
SIHS36N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 23А; Idm: 112А; 446Вт; SUPER247
0.0
SIHS36N50D-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора125нC Код производителяSIHS36N50D-GE3 КорпусSUPER247
1 331.63 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHS36N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 23А; Idm: 112А; 446Вт; SUPER247" 1.

SIHU2N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 62,5Вт
0.0
SIHU2N80E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора19,6нC Код производителяSIHU2N80E-GE3 КорпусIPAK, TO251
267.86 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU2N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 62,5Вт" 1.

SIHU3N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,9А; Idm: 5,5А; 69Вт
0.0
SIHU3N50D-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC Код производителяSIHU3N50D-GE3 КорпусIPAK, TO251
155.61 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU3N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,9А; Idm: 5,5А; 69Вт" 1.

SIHU4N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт
0.0
SIHU4N80AE-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора32нC Код производителяSIHU4N80AE-GE3 КорпусIPAK, TO251
327.38 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU4N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт" 1.

SIHU5N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,4А; Idm: 10А; 104Вт
0.0
SIHU5N50D-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора20нC Код производителяSIHU5N50D-GE3 КорпусIPAK, TO251
215.99 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU5N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,4А; Idm: 10А; 104Вт" 1.

SIHU6N62E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 620В; 4А; Idm: 12А; 78Вт; IPAK,TO251
0.0
SIHU6N62E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора34нC Код производителяSIHU6N62E-GE3 КорпусIPAK, TO251
235.54 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU6N62E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 620В; 4А; Idm: 12А; 78Вт; IPAK,TO251" 1.

SIHU6N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; IPAK,TO251
0.0
SIHU6N65E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора48нC Код производителяSIHU6N65E-GE3 КорпусIPAK, TO251
344.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU6N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; IPAK,TO251" 1.

SIHU6N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,2А; Idm: 10А; 62,5Вт
0.0
SIHU6N80AE-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора22,5нC Код производителяSIHU6N80AE-GE3 КорпусIPAK, TO251
355.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU6N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,2А; Idm: 10А; 62,5Вт" 1.

SIHU7N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; IPAK,TO251
0.0
SIHU7N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора40нC Код производителяSIHU7N60E-GE3 КорпусIPAK, TO251
263.61 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHU7N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; IPAK,TO251" 1.

SIHW21N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 38А; 179Вт; TO247AD
0.0
SIHW21N80AE-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора72нC Код производителяSIHW21N80AE-GE3 КорпусTO247AD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHW21N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 38А; 179Вт; TO247AD" 1.

SIHW61N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 41А; Idm: 199А; 520Вт; TO247AD
0.0
SIHW61N65EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора371нC Код производителяSIHW61N65EF-GE3 КорпусTO247AD
5 169.22 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHW61N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 41А; Idm: 199А; 520Вт; TO247AD" 1.

SIHW70N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 45А; Idm: 229А; 520Вт; TO247AD
0.0
SIHW70N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора380нC Код производителяSIHW70N60EF-GE3 КорпусTO247AD
3 375.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHW70N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 45А; Idm: 229А; 520Вт; TO247AD" 1.

SPA06N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 6А; 39Вт; PG-TO220-3-FP
0.0
SPA06N80C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Код производителяSPA06N80C3 КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT
467.69 ₽
Доступность: 52 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPA06N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 6А; 39Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

SPA07N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; 32Вт; PG-TO220-3-FP
0.0
SPA07N60C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Код производителяSPA07N60C3 КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT
308.67 ₽
Доступность: 55 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPA07N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; 32Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

SPA08N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; 40Вт; PG-TO220-3-FP
0.0
SPA08N80C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Код производителяSPA08N80C3 КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT
342.69 ₽
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPA08N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; 40Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

SPA11N60C3XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; Idm: 33А; 33Вт; PG-TO220 FP
0.0
SPA11N60C3XKSA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSPA11N60C3XKSA1 КорпусPG-TO220 FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SPA11N60C3XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; Idm: 33А; 33Вт; PG-TO220 FP" 1.

SPA11N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; 34Вт; PG-TO220-3-FP
0.0
SPA11N80C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Код производителяSPA11N80C3 КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT
551.87 ₽
Доступность: 482 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPA11N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; 34Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

SPA15N60C3XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 9,4А; Idm: 45А; 34Вт
0.0
SPA15N60C3XKSA1
Вид каналаобогащенный Код производителяSPA15N60C3XKSA1 КорпусPG-TO220 FP МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
570.58 ₽
Доступность: 19 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPA15N60C3XKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 9,4А; Idm: 45А; 34Вт" 1.

SPA17N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 42Вт; PG-TO220-3-FP
0.0
SPA17N80C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Код производителяSPA17N80C3 КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT
716.84 ₽
Доступность: 65 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPA17N80C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 17А; 42Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

SPA20N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13,1А; 34,5Вт; PG-TO220-3-FP
0.0
SPA20N60C3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Код производителяSPA20N60C3 КорпусPG-TO220-3-FP МонтажTHT
909.01 ₽
Доступность: 514 шт.
 

Минимальное количество для товара "SPA20N60C3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13,1А; 34,5Вт; PG-TO220-3-FP" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, выводные (THT — Through-Hole Technology) — это полупроводниковые приборы с длинными выводами, предназначенные для ручной или волновой пайки в отверстия печатной платы. Широко используются в промышленной автоматике, системах управления, источниках питания, учебных проектах и ремонте оборудования.

Отличаются высокой механической прочностью соединения и удобством обслуживания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N THT от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж