Товары из категории транзисторы с каналом p smd, стр.25

Производитель

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SI7153DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
137.98 
Доступность: 1739 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7153DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18А; Idm: -100А" 1.

0.0
SI7155DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора330нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
272.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7155DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -100А; Idm: -200А" 1.

0.0
SI7317DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
161.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7317DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -2,8А; Idm: -2А" 1.

0.0
SI7461DP-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,19мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
472.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7461DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; -11,5А; Idm: -60А" 1.

0.0
SI7461DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,19мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
455.81 
Доступность: 4697 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7461DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,6А; Idm: -60А; 1,2Вт" 1.

0.0
SI7465DP-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
201.55 
Доступность: 1598 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7465DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5А; Idm: -25А" 1.

0.0
SI7469DP-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
334.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7469DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -28А; Idm: -40А" 1.

0.0
SI7469DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
401.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7469DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -28А; Idm: -40А; 53Вт" 1.

0.0
SI7489DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
449.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7489DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -28А; Idm: -40А; 53Вт" 1.

0.0
SI7615ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора183нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
124.81 
Доступность: 2964 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7615ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

0.0
SI7615CDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
134.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7615CDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; 21,1Вт" 1.

0.0
SI7617DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
139.53 
Доступность: 2748 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7617DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13,9А; Idm: -60А; 33Вт" 1.

0.0
SI7619DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
110.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7619DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -24А; Idm: -50А" 1.

0.0
SI7625DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора126нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
129.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7625DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -17,3А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

0.0
SI7629DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора177нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
173.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7629DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А" 1.

0.0
SI7655ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора225нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
189.15 
Доступность: 648 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7655ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -40А; Idm: -100А; 36Вт" 1.

0.0
SI8487DB-T1-E1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6 МонтажSMD
145.74 
Доступность: 883 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI8487DB-T1-E1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; 1,8/0,73Вт" 1.

0.0
SI9407BDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
131.01 
Доступность: 1668 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А; 3,2Вт; SO8" 1.

0.0
SI9407BDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
240.31 
Доступность: 2040 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,7А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI9407BDY-E3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
227.91 
Доступность: 2927 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9407BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8" 1.

0.0
SI9433BDY-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD
207.75 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9433BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
SI9933CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSO8 МонтажSMD
149.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9933CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
SIA413ADJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
79.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA413ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А" 3000.

0.0
SIA413DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
134.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA413DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А" 1.

0.0
SIA4263DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52,2нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
37.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA4263DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -32А" 3000.

0.0
SIA4265EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
27.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA4265EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А" 3000.

0.0
SIA429DJT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
50.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA429DJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -30А" 3000.

0.0
SIA433EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
64.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA433EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 3000.

0.0
SIA437DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
62.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA437DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -29,7А; Idm: -60А" 3000.

0.0
SIA441DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
104.65 
Доступность: 2815 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIA441DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -12А; Idm: -30А" 1.

0.0
SIA445EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
51.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA445EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 3000.

0.0
SIA445EDJT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
35.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA445EDJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -50А" 3000.

0.0
SIA447DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
66.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA447DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А; 12Вт" 1.

0.0
SIA449DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
89.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA449DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -30А; 12Вт" 1.

0.0
SIA461DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
72.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA461DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -20А" 1.

0.0
SIA469DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
78.29 
Доступность: 2182 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIA469DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А" 1.

0.0
SIA471DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27,8нC МонтажSMD Напряжение сток-исток-30В
90.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA471DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -30,3А; Idm: -70А" 1.

0.0
SIA477EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
39.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA477EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А" 3000.

0.0
SIA477EDJT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
35.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA477EDJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А" 3000.

0.0
SIA483ADJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC МонтажSMD Напряжение сток-исток-30В
27.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA483ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -60А" 3000.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж