Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 401

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора88нC Код производителяSIHB11N80E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
646.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB11N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; Idm: 32А; 179Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяSIHB120N60E-T5-GE3 КорпусD2PAK, TO263
1 114.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB120N60E-T5-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC Код производителяSIHB125N60EF-GE3 КорпусD2PAK, TO263
944.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB125N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC Код производителяSIHB12N60E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
500.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB12N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; 147Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC Код производителяSIHB12N60ET1-GE3 КорпусD2PAK, TO263
385.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB12N60ET1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; Idm: 27А; 147Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSIHB12N65E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
646.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB12N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 28А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC Код производителяSIHB15N50E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
517.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB15N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9,2А; Idm: 28А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора78нC Код производителяSIHB15N60E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
477.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB15N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 180Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора96нC Код производителяSIHB15N65E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
674.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB15N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 38А; 34Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC Код производителяSIHB17N80AE-GE3 КорпусD2PAK, TO263
591.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB17N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10А; Idm: 32А; 179Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC Код производителяSIHB17N80E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
1 008.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB17N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10А; Idm: 45А; 208Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC Код производителяSIHB180N60E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
637.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB180N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 44А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора92нC Код производителяSIHB20N50E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
712.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB20N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; Idm: 42А; 179Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC Код производителяSIHB21N60EF-GE3 КорпусD2PAK, TO263
910.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB21N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; Idm: 53А; 227Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора106нC Код производителяSIHB21N65EF-GE3 КорпусD2PAK, TO263
912.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB21N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; Idm: 53А; 208Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC Код производителяSIHB21N80AE-GE3 КорпусD2PAK, TO263
691.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB21N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 38А; 179Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора443нC Код производителяSIHB22N60AE-GE3 КорпусD2PAK, TO263
860.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 268А; 520Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора86нC Код производителяSIHB22N60E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
0.00 
Доступность: 240 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора96нC Код производителяSIHB22N60EF-GE3 КорпусD2PAK, TO263
809.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 46А; 179Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора74нC Код производителяSIHB22N60EL-GE3 КорпусD2PAK, TO263
946.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 45А; 227Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж