Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 428

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
179.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM12N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 12А; 86Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
106.27 
Доступность: 575 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM13N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 13А; 130Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
97.86 
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM14N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 11А; 85Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусTO263 МонтажSMD
188.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM14N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 6А; Idm: 26А; 85Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
133.03 
Доступность: 233 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM14N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 11А; 85Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,6нC КорпусTO263 МонтажSMD
217.13 
Доступность: 490 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM15N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,6нC КорпусTO263 МонтажSMD
198.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM15N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM161N15T2
539.76 
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM161N15T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
218.65 
Доступность: 298 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM16N60FD, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; полевой; 600В; 13А; 86Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
190.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM16N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 12А; 86Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM180N03TS
147.55 
Доступность: 69 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM180N03TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусTO263 МонтажSMD
329.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM18N65EM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 650В; 8,6А; Idm: 43А; 125Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM190N03TS
131.50 
Доступность: 79 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM190N03TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
243.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM20N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 15А; 86Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM220N20HG3
555.05 
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM220N20HG3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
430.43 
Доступность: 352 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM25N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 21А; 250Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,1нC КорпусTO263 МонтажSMD
358.56 
Доступность: 780 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM26N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 10,5А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,1нC КорпусTO263 МонтажSMD
339.45 
Доступность: 796 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM26N60F2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 600В; 10,5А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
336.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM26N60FD, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; полевой; 600В; 20А; 147Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
346.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM26N65FD, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; полевой; 650В; 20А; 147Вт; TO263" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж