Товары из категории транзисторы униполярные - страница 401

Производитель
Вид каналаобогащенный Время готовности1мкс Заряд затвора545нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
17 983.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN30N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 30А; SOT227B; винтами; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности480нс Заряд затвора196нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 945.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN32P60P, Модуль; одиночный транзистор; -600В; -32А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности477нс Заряд затвора205нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
6 094.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN40P50P, Модуль; одиночный транзистор; -500В; -40А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности0,6мкс Заряд затвора260нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 800.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN46N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 46А; SOT227B; винтами; 700Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора595нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 740.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN550N055T2, Модуль; одиночный транзистор; 55В; 550А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности100нс Заряд затвора590нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 885.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN600N04T2, Модуль; одиночный транзистор; 40В; 600А; SOT227B; винтами; 940Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности980нс Заряд затвора610нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 727.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN60N50L2, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 53А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности0,5мкс Заряд затвора550нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 032.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN62N50L, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 62А; SOT227B; винтами; 800Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности485нс Заряд затвора660нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 448.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN80N30L2, Модуль; одиночный транзистор; 300В; 80А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности1,7мкс Заряд затвора250нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN8N150L, Модуль; одиночный транзистор; 1,5кВ; 7,5А; SOT227B; винтами; 545Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности266нс Заряд затвора640нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 120.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN90N25L2, Модуль; одиночный транзистор; 250В; 90А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности315нс Заряд затвора205нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN90P20P, Модуль; одиночный транзистор; -200В; -90А; SOT227B; винтами; 890Вт" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности2нс Заряд затвора0,1мкC КорпусTO220AB
1 355.50 
Доступность: 319 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTP01N100D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,1А; 25Вт; TO220AB; 2нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,6мкс КорпусTO220AB МонтажTHT
418.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTP02N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 0,2А; 33Вт; TO220AB; 1,6мкс" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности5нс Заряд затвора0,12мкC КорпусTO220AB
941.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTP02N50D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 0,2А; 25Вт; TO220AB; 5нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности710нс КорпусTO220AB МонтажTHT
553.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTP05N100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,75А; 40Вт; TO220AB; 710нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности710нс КорпусTO220FP МонтажTHT
740.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTP05N100M, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,7А; 25Вт; TO220FP; 710нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности750нс КорпусTO220AB МонтажTHT
250.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTP05N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,5А; 50Вт; TO220AB; 750нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности900нс КорпусTO220AB МонтажTHT
859.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTP06N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 0,6А; 42Вт; TO220AB; 900нс" 1.

Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Заряд затвора325нC КорпусTO220AB МонтажTHT
607.03 
Доступность: 249 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTP08N100D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,8А; 60Вт; TO220AB" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж