Товары из категории транзисторы - страница 417

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора19,6нC КорпусTO220FP МонтажTHT
221.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHA2N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 29Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора32нC КорпусTO220FP МонтажTHT
360.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHA4N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора16,5нC КорпусTO220FP МонтажTHT
221.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHA5N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,9А; Idm: 7А; 29Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC КорпусTO220FP МонтажTHT
410.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHA690N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,7А; Idm: 11А; 29Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора22,5нC КорпусTO220FP МонтажTHT
232.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHA6N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,2А; Idm: 10А; 30Вт; TO220FP" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора92нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
1 096.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB053N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 47А; Idm: 128А; 278Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора74нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
962.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB065N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 25А; Idm: 116А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
981.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB068N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 26А; Idm: 115А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
940.33 
Доступность: 50 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIHB100N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19А; Idm: 73А; 208Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
465.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB11N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора88нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
573.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB11N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; Idm: 32А; 179Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
988.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB120N60E-T5-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
837.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB125N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
443.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB12N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; 147Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
342.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB12N60ET1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; Idm: 27А; 147Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
573.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB12N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 28А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
458.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB15N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9,2А; Idm: 28А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора78нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
423.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB15N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 180Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора96нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
598.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB15N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 38А; 34Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
524.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB17N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10А; Idm: 32А; 179Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж