Товары из категории транзисторы, стр.614

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SIHB125N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
810.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB125N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт" 1.

0.0
SIHB12N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
193.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB12N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; 147Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SIHB12N60ET1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
319.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB12N60ET1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; Idm: 27А; 147Вт" 1.

0.0
SIHB12N65E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
469.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB12N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 28А; 156Вт" 1.

0.0
SIHB15N50E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
427.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB15N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9,2А; Idm: 28А; 156Вт" 1.

0.0
SIHB15N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора78нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
390.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB15N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 180Вт" 1.

0.0
SIHB15N65E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора96нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
558.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB15N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 38А; 34Вт" 1.

0.0
SIHB17N80AE-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
424.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB17N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10А; Idm: 32А; 179Вт" 1.

0.0
SIHB17N80E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
944.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB17N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10А; Idm: 45А; 208Вт" 1.

0.0
SIHB180N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
527.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB180N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 44А; 156Вт" 1.

0.0
SIHB20N50E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора92нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
432.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB20N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; Idm: 42А; 179Вт" 1.

0.0
SIHB21N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
657.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB21N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; Idm: 53А; 227Вт" 1.

0.0
SIHB21N65EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора106нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
725.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB21N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; Idm: 53А; 208Вт" 1.

0.0
SIHB21N80AE-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
480.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB21N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 38А; 179Вт" 1.

0.0
SIHB22N60AE-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора443нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
711.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 268А; 520Вт" 1.

0.0
SIHB22N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора96нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
632.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 46А; 179Вт" 1.

0.0
SIHB22N60EL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора74нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
782.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 45А; 227Вт" 1.

0.0
SIHB22N60ET1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
610.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60ET1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

0.0
SIHB22N60ET5-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
705.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60ET5-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

0.0
SIHB22N65E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
748.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 14А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж