Товары от производителя ROHM SEMICONDUCTOR - страница 52

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC Код производителяRQ1A060ZPTR КорпусTSMT8
199.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ1A060ZPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -6А; Idm: -24А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC Код производителяRQ1A070APTR КорпусTSMT8
160.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ1A070APTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC Код производителяRQ1A070ZPFRATR КорпусTSMT8
153.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ1A070ZPFRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяRQ1C075UNTR КорпусTSMT8
160.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ1C075UNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 7,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC Код производителяRQ1E070RPTR КорпусTSMT8
313.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ1E070RPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; Idm: -28А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC Код производителяRQ1E075XNTCR КорпусTSMT8
145.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ1E075XNTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC Код производителяRQ3C150BCTB КорпусHSMT8
206.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3C150BCTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -37А; Idm: -60А; 20Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,9нC Код производителяRQ3E070BNTB КорпусHSMT8
105.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E070BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15А; Idm: 28А; 13Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяRQ3E075ATTB КорпусHSMT8
248.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E075ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; Idm: -30А; 15Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC Код производителяRQ3E080BNTB КорпусHSMT8
79.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E080BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC Код производителяRQ3E080GNTB КорпусHSMT8
114.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E080GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 18А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяRQ3E100BNTB КорпусHSMT8
116.09 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "RQ3E100BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC Код производителяRQ3E110AJTB КорпусHSMT8
162.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E110AJTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 24А; Idm: 44А; 15Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC Код производителяRQ3E120ATTB КорпусHSMT8
196.52 
Доступность: 2938 шт.
 

Минимальное количество для товара "RQ3E120ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39А; Idm: -48А; 20Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяRQ3E120GNTB КорпусHSMT8
92.04 
Доступность: 2716 шт.
 

Минимальное количество для товара "RQ3E120GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 27А; Idm: 48А; 15Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяRQ3E130BNTB КорпусHSMT8
138.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E130BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 52А; 16Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяRQ3E150BNTB КорпусHSMT8
160.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E150BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 60А; 17Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,3нC Код производителяRQ3E150GNTB КорпусHSMT8
140.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E150GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 60А; 17Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC Код производителяRQ3E160ADTB КорпусHSMT8
106.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E160ADTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 16А; Idm: 64А; 2Вт; HSMT8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC Код производителяRQ3E180AJTB КорпусHSMT8
148.42 
Доступность: 148 шт.
 

Минимальное количество для товара "RQ3E180AJTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 30А; Idm: 72А; 30Вт; HSMT8" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид логич. элем.
Вид микросхемы
Вид стабилизатора напряжения
Порог напряжения срабатывания
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Виды интерфейса
Выходная мощность
Кол-во выводов
Конструкция диода
Конфигурация выхода
Напряжение коллектор-эмиттер
Память
Полярность
Рабочее напряжение
Топология
Цвет диодa LED
Активное состояние
Версия
Длина волны λd
Кол-во каналов
Кол-во компараторов
Разрешение преобразователя
Структура памяти
Тактовая частота
Ток диода LED
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Вид выхода RESET
Емкость
Импеданс
Количество входов
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Управляющее напряжение
Шаг выводов
Вид входа
Входное напряжение
Выходное напряжение
Диапазон напряжения питания
Импульсный ток
Мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Полоса передаваемых частот
Прямой ток
Серия производителя
Сила света
Время доступа
Диаметр диода LED
Интерфейс
Исполнение диода LED
Корпус
Линза диода
Падение напряжения макс.
Размеры
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стока
Вид памяти
Входное напряжение смещения
Защита
Коэффициент усиления
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Обзор
Падение напряжения
Рабочая температура
Скорость нарастания напряжения
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Поверхность
Вид транзистора
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Max INL
Вид упаковки
Входной ток смещения
Ток коллектора в импульсе
Ток покоя
Толщина радитора
Max DNL
Поляризация входного тока
Ток питания DC
Ток стока в импульсном режиме
Хроматические координаты
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения