Москва
 +7(499)550-50-61

Товары от производителя VISHAY - страница 1287

Сортировать по:
Новинки ниже
SIZF906ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А
0.0
SIZF906ADT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49/200нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
148.33 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZF906ADT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 3000.

SIZF906DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А
0.0
SIZF906DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49/200нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
198.01 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZF906DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А" 3000.

SIZF914DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 25В
0.0
SIZF914DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21/98нC МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
168.91 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZF914DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 25В" 3000.

SIZF916DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В
0.0
SIZF916DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/95нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
149.75 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZF916DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

SIZF918DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В
0.0
SIZF918DT-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/56нC МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
151.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIZF918DT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В" 3000.

SQ1421EDH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1А; 0,5Вт; SC70-6; ESD
0.0
SQ1421EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6нC КорпусSC70-6
97.23 ₽
Доступность: 257 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ1421EDH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1А; 0,5Вт; SC70-6; ESD" 1.

SQ1431EH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 3Вт
0.0
SQ1431EH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
128.46 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ1431EH-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 3Вт" 1.

SQ1470AEH-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 6,7А
0.0
SQ1470AEH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSC70, SOT363 МонтажSMD
125.62 ₽
Доступность: 2893 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ1470AEH-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 6,7А" 1.

SQ1539EH-T1_GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 850/-850мА
0.0
SQ1539EH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/1,4нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
58.20 ₽
Доступность: 4185 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ1539EH-T1_GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 850/-850мА" 1.

SQ2301ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; 1Вт; SOT23
0.0
SQ2301ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
88.72 ₽
Доступность: 804 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2301ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; 1Вт; SOT23" 1.

SQ2303ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А
0.0
SQ2303ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
84.46 ₽
Доступность: 2900 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2303ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А" 1.

SQ2308CES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 2А; Idm: 9А; 2Вт
0.0
SQ2308CES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
107.88 ₽
Доступность: 57 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2308CES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 2А; Idm: 9А; 2Вт" 1.

SQ2309ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -1,7А; Idm: -6,8А
0.0
SQ2309ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
90.13 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2309ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -1,7А; Idm: -6,8А" 1.

SQ2315ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5А; Idm: -20А; 0,67Вт; SOT23
0.0
SQ2315ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
98.65 ₽
Доступность: 1312 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2315ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5А; Idm: -20А; 0,67Вт; SOT23" 1.

SQ2318AES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,6А; 1Вт; SOT23
0.0
SQ2318AES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
104.33 ₽
Доступность: 2 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2318AES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,6А; 1Вт; SOT23" 1.

SQ2319ADS-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -2А; 0,5Вт; SOT23
0.0
SQ2319ADS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2319ADS-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -2А; 0,5Вт; SOT23" 1.

SQ2325ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -1А; Idm: -2А; 1Вт; SOT23
0.0
SQ2325ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
145.49 ₽
Доступность: 1928 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2325ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -1А; Idm: -2А; 1Вт; SOT23" 1.

SQ2337ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,3А; 1Вт; SOT23
0.0
SQ2337ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
130.59 ₽
Доступность: 55 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2337ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,3А; 1Вт; SOT23" 1.

SQ2351ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 2Вт; SOT23
0.0
SQ2351ES-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
109.30 ₽
Доступность: 697 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ2351ES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 2Вт; SOT23" 1.

SQ2361AEES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23
0.0
SQ2361AEES-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23
185.95 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ2361AEES-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -11А; 0,67Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки