Товары из категории полупроводники, стр.1875

Производитель

Полупроводники – широкий ассортимент компонентов для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые компоненты: диоды, транзисторы, тиристоры, оптоэлектроника и многое другое. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводники у нас – надежность и качество в каждом элементе!

0.0
IPD80R280P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
465.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10,6А; 101Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R2K0P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
151.16 
Доступность: 1462 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R2K4P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,5нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
146.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 22Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R360P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
348.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 84Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R3K3P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
96.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R4K5P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
139.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 13Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD80R900P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
250.39 
Доступность: 2478 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

0.0
IPD90N04S404
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора20нC КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD
200.00 
Доступность: 2294 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD90N04S404ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 81А; Idm: 360А" 1.

0.0
IPD90N04S405ATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD
136.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90N04S405ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 61А; Idm: 344А" 1.

0.0
IPD90R1K2C3ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток900В
251.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90R1K2C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD90R1K2C3BTMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток900В
201.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90R1K2C3BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

0.0
IPD95R450P7
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора35нC КорпусDPAK
437.21 
Доступность: 1327 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD95R450P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK; ESD" 1.

0.0
IPDD60R050G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
1 117.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R050G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 47А; Idm: 135А" 1.

0.0
IPDD60R080G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
1 074.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R080G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 29А; Idm: 83А" 1.

0.0
IPDD60R102G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
792.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R102G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 23А; Idm: 66А" 1.

0.0
IPDD60R125G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
609.30 
Доступность: 42 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R125G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 20А; Idm: 54А" 1.

0.0
IPDD60R150G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
519.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R150G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 16А; Idm: 45А" 1.

0.0
IPDD60R190G7XTMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
465.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R190G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 13А; Idm: 36А" 1.

0.0
IPG20N04S408
Вид каналаобогащенный Заряд затвора28нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
260.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPG20N04S408ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 65Вт" 1.

0.0
IPG20N04S409
Вид каналаобогащенный Заряд затвора21,7нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
134.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPG20N04S409ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 54Вт" 1.

0.0
IPI020N06NAKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
621.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI020N06NAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 214Вт; PG-TO262-3" 1.

0.0
IPI024N06N3GXKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
365.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI024N06N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO262-3" 1.

0.0
IPI029N06NAKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
389.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI029N06NAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO262-3" 1.

0.0
IPI030N10N3GXKSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
733.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI030N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (208)
Хиты продаж