Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.125

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
IXTY01N100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение сток-исток1кВ
333.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY01N100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,1А; 25Вт; TO252" 1.

0.0
IXTY01N100D
Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности2нс Заряд затвора0,1мкC КорпусTO252
652.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY01N100D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,1А; 25Вт; TO252; 2нс" 1.

0.0
IXTY02N120P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,6мкс КорпусTO252 МонтажSMD
324.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY02N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 0,2А; 33Вт; TO252; 1,6мкс" 1.

0.0
IXTY02N50D
Вид каналаобедненный Время готовности1мкс КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
382.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY02N50D, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 200мА; Idm: 800мА; 25Вт; TO252" 1.

0.0
IXTY08N100D2
Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Заряд затвора325нC КорпусTO252 МонтажSMD
630.83 
Доступность: 210 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY08N100D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,8А; 60Вт; TO252" 1.

0.0
IXTY08N100P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности750нс КорпусTO252 МонтажSMD
671.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY08N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,8А; 42Вт; TO252; 750нс" 1.

0.0
IXTY08N50D2
Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности11нс Заряд затвора312нC КорпусTO252
447.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY08N50D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 0,8А; 60Вт; TO252; 11нс" 1.

0.0
IXTY14N60X2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора16,7нC КорпусDPAK МонтажSMD
787.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY14N60X2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; Idm: 18А; 180Вт; DPAK" 1.

0.0
IXTY1N100P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности750нс КорпусTO252 МонтажSMD
320.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY1N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 1А; 50Вт; TO252; 750нс" 1.

0.0
IXTY1N120P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности900нс КорпусTO252 МонтажSMD
369.96 
Доступность: 77 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY1N120P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 1А; 63Вт; TO252; 900нс" 1.

0.0
IXTY1N80P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности700нс Заряд затвора9нC КорпусTO252
232.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY1N80P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 42Вт; TO252; 700нс" 350.

0.0
IXTY1R4N100P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности750нс Заряд затвора17,8нC КорпусTO252
411.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY1R4N100P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1кВ; 1,4А; Idm: 3А; 63Вт" 1.

0.0
IXTY1R4N120P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности900нс Заряд затвора24,8нC КорпусTO252
837.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY1R4N120P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,2кВ; 1,4А; Idm: 3А; 86Вт" 1.

0.0
IXTY1R4N120PHV
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности900нс Заряд затвора24,8нC КорпусTO252HV
543.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY1R4N120PHV, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,2кВ; 1,4А; Idm: 3А; 86Вт" 1.

0.0
IXTY1R6N100D2
Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности11нс Заряд затвора645нC КорпусTO252
694.07 
Доступность: 23 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY1R6N100D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 1,6А; 100Вт; TO252; 11нс" 1.

0.0
IXTY1R6N50D2
Вид каналаобедненный Вид упаковкитуба Время готовности400нс Заряд затвора23,7нC КорпусTO252
529.64 
Доступность: 348 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY1R6N50D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,6А; 100Вт; TO252; 400нс" 1.

0.0
IXTY2N100P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности800нс КорпусTO252 МонтажSMD
567.59 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY2N100P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 2А; 86Вт; TO252; 800нс" 1.

0.0
IXTY2N65X2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности137нс Заряд затвора4,3нC КорпусTO252
426.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTY2N65X2, Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; полевой; 650В; 2А; 55Вт; TO252" 1.

0.0
IXTY3N50P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности400нс Заряд затвора9,3нC КорпусTO252
55.34 
Доступность: 34 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY3N50P, Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс" 1.

0.0
IXTY44N10T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности60нс КорпусTO252 МонтажSMD
428.46 
Доступность: 288 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTY44N10T, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 44А; 130Вт; TO252; 60нс" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж