Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 142

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
IPB60R120P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 95Вт; D2PAK
0.0
IPB60R120P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора36нC Код производителяIPB60R120P7ATMA1 КорпусD2PAK
559.52 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R120P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 95Вт; D2PAK" 1.

IPB60R125C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 219Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R125C6ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R125C6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R125C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 219Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R160C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23,8А; 176Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R160C6ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R160C6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
868.20 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R160C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23,8А; 176Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R165CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 192Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R165CPATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R165CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
784.01 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R165CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 192Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R180C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK
0.0
IPB60R180C7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора24нC Код производителяIPB60R180C7ATMA1 КорпусD2PAK МонтажSMD
368.20 ₽
Доступность: 928 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB60R180C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK" 1.

IPB60R180P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 72Вт; D2PAK
0.0
IPB60R180P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора25нC Код производителяIPB60R180P7ATMA1 КорпусD2PAK
386.90 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R180P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 72Вт; D2PAK" 1.

IPB60R190C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R190C6ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R190C6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R190C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 139Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R199CPATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R199CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
651.36 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 139Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R250CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; 104Вт; PG-TO263-3-2
0.0
IPB60R250CPATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R250CPATMA1 КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R250CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; 104Вт; PG-TO263-3-2" 1.

IPB60R280C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13,8А; 104Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R280C6ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R280C6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
424.32 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R280C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13,8А; 104Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; D2PAK
0.0
IPB60R280P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18нC Код производителяIPB60R280P7ATMA1 КорпусD2PAK
414.97 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; D2PAK" 1.

IPB60R299CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 96Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R299CPATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R299CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
550.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R299CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 96Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 41Вт; D2PAK
0.0
IPB60R360P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора13нC Код производителяIPB60R360P7ATMA1 КорпусD2PAK
269.56 ₽
Доступность: 870 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB60R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 41Вт; D2PAK" 1.

IPB60R385CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 83Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R385CPATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R385CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
437.93 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R385CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 83Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB64N25S320ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 250В; 46А; Idm: 256А
0.0
IPB64N25S320ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB64N25S320ATMA1 КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB64N25S320ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 250В; 46А; Idm: 256А" 1.

IPB65R045C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 46А; 227Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R045C7ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R045C7ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
4 056.12 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R045C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 46А; 227Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R065C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 33А; 171Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R065C7ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R065C7ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
2 458.33 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R065C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 33А; 171Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R099C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 38А; 278Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R099C6ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R099C6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 635.20 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R099C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 38А; 278Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R110CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 31,2А; 277,8Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R110CFDATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R110CFDATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 563.78 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R110CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 31,2А; 277,8Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R150CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 22,4А; 195,3Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R150CFDATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R150CFDATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
763.61 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R150CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 22,4А; 195,3Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж