Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 143

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
IPB65R190C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; 72Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R190C7ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R190C7ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
690.48 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R190C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; 72Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R190CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 17,5А; 151Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R190CFDATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R190CFDATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
681.12 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R190CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 17,5А; 151Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R280E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13,8А; 104Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R280E6ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R280E6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
527.21 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R280E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13,8А; 104Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R310CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 11,4А; 104,2Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R310CFDATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R310CFDATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
465.99 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R310CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 11,4А; 104,2Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R380C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R380C6ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R380C6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
375.85 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R380C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R420CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 310Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R420CFDATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R420CFDATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
364.80 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R420CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 310Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB65R660CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB65R660CFDATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R660CFDATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R660CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB80N04S2H4ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB80N04S2H4
Вид каналаобогащенный Заряд затвора103нC Код производителяIPB80N04S2H4ATMA2 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD
585.88 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB80N04S2H4ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB80N06S2L07ATMA3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB80N06S2L07
Вид каналаобогащенный Заряд затвора95нC Код производителяIPB80N06S2L07ATMA3 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD
568.88 ₽
Доступность: 647 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB80N06S2L07ATMA3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB80N06S405ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 75А; Idm: 320А; 107Вт
0.0
IPB80N06S405ATMA2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC Код производителяIPB80N06S405ATMA2 КорпусPG-TO263-3-2
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB80N06S405ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 75А; Idm: 320А; 107Вт" 1.

IPB80N08S2L07ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB80N08S2L07
Вид каналаобогащенный Заряд затвора183нC Код производителяIPB80N08S2L07ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB80N08S2L07ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB90R340C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 9,5А; 208Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB90R340C3ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB90R340C3ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
804.42 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB90R340C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 9,5А; 208Вт; PG-TO263-3" 1.

IPC100N04S5-1R2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 150Вт; PG-TDSON-8
0.0
IPC100N04S51R2
Вид каналаобогащенный Заряд затвора131нC Код производителяIPC100N04S5-1R2 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5-1R2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 150Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC100N04S5-1R7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 115Вт; PG-TDSON-8
0.0
IPC100N04S51R7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора83нC Код производителяIPC100N04S5-1R7 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5-1R7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 115Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC100N04S5-1R9, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 100Вт; PG-TDSON-8
0.0
IPC100N04S51R9
Вид каналаобогащенный Заряд затвора65нC Код производителяIPC100N04S5-1R9 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
159.86 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5-1R9, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 100Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC100N04S5-2R8, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 75Вт; PG-TDSON-8
0.0
IPC100N04S52R8
Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC Код производителяIPC100N04S5-2R8 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
226.19 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5-2R8, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 75Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC100N04S5L-1R1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 150Вт; PG-TDSON-8
0.0
IPC100N04S5L1R1
Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,14мкC Код производителяIPC100N04S5L-1R1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
280.61 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-1R1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 150Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC100N04S5L-1R5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 115Вт; PG-TDSON-8
0.0
IPC100N04S5L1R5
Вид каналаобогащенный Заряд затвора95нC Код производителяIPC100N04S5L-1R5 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
190.48 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-1R5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 115Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC100N04S5L-1R9, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 100Вт; PG-TDSON-8
0.0
IPC100N04S5L1R9
Вид каналаобогащенный Заряд затвора81нC Код производителяIPC100N04S5L-1R9 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
278.91 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-1R9, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 100Вт; PG-TDSON-8" 1.

IPC100N04S5L-2R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 75Вт; PG-TDSON-8
0.0
IPC100N04S5L2R6
Вид каналаобогащенный Заряд затвора55нC Код производителяIPC100N04S5L-2R6 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
149.66 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-2R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 75Вт; PG-TDSON-8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж