Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 143

Производитель
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
636.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R190C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; 72Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
627.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R190CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 17,5А; 151Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
486.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R280E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13,8А; 104Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
428.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R310CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 11,4А; 104,2Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
346.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R380C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
336.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R420CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 310Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток650В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R660CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора103нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
522.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB80N04S2H4ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора95нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
472.48 
Доступность: 671 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB80N06S2L07ATMA3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB80N06S405ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 75А; Idm: 320А; 107Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора183нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB80N08S2L07ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток900В
740.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB90R340C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 9,5А; 208Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора131нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5-1R2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 150Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора83нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5-1R7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 115Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора65нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
147.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5-1R9, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 100Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
208.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5-2R8, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 75Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,14мкC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
259.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-1R1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 150Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора95нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
175.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-1R5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 115Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора81нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
257.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-1R9, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 100Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора55нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
137.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-2R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 75Вт; PG-TDSON-8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж