Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.143

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIHB23N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
479.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB23N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 15А; Idm: 63А; 227Вт" 1.

0.0
SIHB24N65E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
890.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16А; Idm: 70А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB24N65EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
885.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 15А; Idm: 65А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB24N65EFT1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
705.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65EFT1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 24А; Idm: 65А; 250Вт" 800.

0.0
SIHB24N80AE-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора89нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
444.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт" 1.

0.0
SIHB25N50E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
605.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB25N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 16А; Idm: 50А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB28N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
885.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB28N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 18А; Idm: 75А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB33N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора150нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
864.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB33N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 278Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SIHB33N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
1 109.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB33N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 100А; 278Вт" 1.

0.0
SIHB35N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора132нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
991.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB35N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 80А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB35N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора134нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
899.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB35N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 80А; 250Вт" 1.

0.0
SIHB4N80E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
401.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB4N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 11А; 69Вт" 1.

0.0
SIHB6N65E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
232.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB6N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SIHB6N80E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
510.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB6N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,4А; Idm: 15А; 78Вт" 1.

0.0
SIHB8N50D-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
224.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB8N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5,5А; Idm: 18А; 156Вт" 1.

0.0
SIHD12N50E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
327.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD12N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,6А; Idm: 21А; 114Вт" 1.

0.0
SIHD14N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
316.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD14N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; Idm: 32А; 147Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIHD180N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
415.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD180N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 40А; 156Вт" 1.

0.0
SIHD186N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
431.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD186N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 40А; 156Вт" 1.

0.0
SIHD1K4N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
181.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD1K4N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; Idm: 5А; 63Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIHD240N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
411.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD240N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 30А; 78Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SIHD2N80AE-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
205.53 
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIHD2N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 3,6А; 62,5Вт; ESD" 1.

0.0
SIHD2N80E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19,6нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
241.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD2N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 62,5Вт" 1.

0.0
SIHD3N50D-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
159.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHD3N50D-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,9А; Idm: 5,5А; 69Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж