Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 262

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC Код производителяSIE812DF-T1-E3 МонтажSMD
390.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE812DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC Код производителяSIE812DF-T1-GE3 МонтажSMD
390.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE812DF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC Код производителяSIE818DF-T1-E3 МонтажSMD
601.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE818DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 75В; 60А; Idm: 80А; 125Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC Код производителяSIE818DF-T1-GE3 МонтажSMD
504.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE818DF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 75В; 60А; Idm: 80А; 125Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора78нC Код производителяSIE822DF-T1-E3 МонтажSMD
378.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE822DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 50А; Idm: 80А; 104Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора92нC Код производителяSIHB053N60E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
1 236.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB053N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 47А; Idm: 128А; 278Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора74нC Код производителяSIHB065N60E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
1 085.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB065N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 25А; Idm: 116А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC Код производителяSIHB068N60EF-GE3 КорпусD2PAK, TO263
1 107.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB068N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 26А; Idm: 115А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSIHB100N60E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
1 060.48 
Доступность: 50 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIHB100N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19А; Idm: 73А; 208Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSIHB11N80AE-GE3 КорпусD2PAK, TO263
524.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB11N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора88нC Код производителяSIHB11N80E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
646.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB11N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; Idm: 32А; 179Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяSIHB120N60E-T5-GE3 КорпусD2PAK, TO263
1 114.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB120N60E-T5-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC Код производителяSIHB125N60EF-GE3 КорпусD2PAK, TO263
944.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB125N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 66А; 179Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC Код производителяSIHB12N60E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
500.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB12N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; 147Вт; D2PAK,TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC Код производителяSIHB12N60ET1-GE3 КорпусD2PAK, TO263
385.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB12N60ET1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7,8А; Idm: 27А; 147Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSIHB12N65E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
646.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB12N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 28А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC Код производителяSIHB15N50E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
517.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB15N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 9,2А; Idm: 28А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора78нC Код производителяSIHB15N60E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
477.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB15N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 180Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора96нC Код производителяSIHB15N65E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
674.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB15N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 38А; 34Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC Код производителяSIHB17N80AE-GE3 КорпусD2PAK, TO263
591.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB17N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10А; Idm: 32А; 179Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж