Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 261

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC Код производителяSIDR570EP-T1-RE3 МонтажSMD
382.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR570EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 90,9А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC Код производителяSIDR5802EP-T1-RE3 МонтажSMD
327.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR5802EP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 153А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора167нC Код производителяSIDR608DP-T1-RE3 МонтажSMD
298.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR608DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 208А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSIDR610DP-T1-GE3 МонтажSMD
465.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR610DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 39,6А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSIDR610DP-T1-RE3 МонтажSMD
320.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR610DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 39,6А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC Код производителяSIDR622DP-T1-GE3 МонтажSMD
373.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR622DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 56,7А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC Код производителяSIDR622DP-T1-RE3 МонтажSMD
320.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR622DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 56,7А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC Код производителяSIDR626DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR626DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 100А; Idm: 200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC Код производителяSIDR626DP-T1-RE3 МонтажSMD
399.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR626DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 100А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC Код производителяSIDR626LDP-T1-RE3 МонтажSMD
371.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR626LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 204А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC Код производителяSIDR626LEP-T1-RE3 МонтажSMD
442.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR626LEP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 218А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора204нC Код производителяSIDR638DP-T1-GE3 МонтажSMD
331.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR638DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора204нC Код производителяSIDR638DP-T1-RE3 МонтажSMD
331.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR638DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC Код производителяSIDR668ADP-T1-RE3 МонтажSMD
316.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR668ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 104А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора108нC Код производителяSIDR668DP-T1-GE3 МонтажSMD
354.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR668DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC Код производителяSIDR680ADP-T1-RE3 МонтажSMD
318.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR680ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 137А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC Код производителяSIDR680DP-T1-GE3 МонтажSMD
390.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR680DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 100А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC Код производителяSIDR870ADP-T1-GE3 МонтажSMD
249.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIDR870ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC Код производителяSIE802DF-T1-E3 МонтажSMD
434.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE802DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC Код производителяSIE808DF-T1-E3 МонтажSMD
468.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIE808DF-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж