Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 263

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
931.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB17N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10А; Idm: 45А; 208Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
519.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB180N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 44А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора92нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
426.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB20N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; Idm: 42А; 179Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
648.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB21N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; Idm: 53А; 227Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора106нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
715.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB21N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; Idm: 53А; 208Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
474.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB21N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 38А; 179Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора443нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
701.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 268А; 520Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора86нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора96нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
623.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 46А; 179Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора74нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
772.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 45А; 227Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
602.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60ET1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
695.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60ET5-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
738.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 14А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
463.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB23N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 15А; Idm: 63А; 227Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
860.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16А; Idm: 70А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
856.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 15А; Idm: 65А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
681.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65EFT1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 24А; Idm: 65А; 250Вт" 800.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора89нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
429.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
585.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB25N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 16А; Idm: 50А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
856.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB28N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 18А; Idm: 75А; 250Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж