Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n tht - страница 120

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N THT
Транзисторы с каналом N SMD
Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Монтаж
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
LGE3M35065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 40А; Idm: 130А; 370Вт
0.0
LGE3M35065Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора30нC Код производителяLGE3M35065Q КорпусTO247-4
4 078.23 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M35065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 40А; Idm: 130А; 370Вт" 1.

LGE3M35120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 44А; Idm: 130А; 300Вт
0.0
LGE3M35120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора148нC Код производителяLGE3M35120Q КорпусTO247-4
4 508.50 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M35120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 44А; Idm: 130А; 300Вт" 1.

LGE3M40065B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 58А; Idm: 180А; 348Вт
0.0
LGE3M40065B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора110,8нC Код производителяLGE3M40065B КорпусTO247-3
3 704.08 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M40065B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 58А; Idm: 180А; 348Вт" 1.

LGE3M40065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 58А; Idm: 180А; 348Вт
0.0
LGE3M40065Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора110,8нC Код производителяLGE3M40065Q КорпусTO247-4
3 704.08 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M40065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 58А; Idm: 180А; 348Вт" 1.

LGE3M40120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; Idm: 117А; 300Вт
0.0
LGE3M40120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора145нC Код производителяLGE3M40120Q КорпусTO247-4
3 984.69 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M40120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 39А; Idm: 117А; 300Вт" 1.

LGE3M45170B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт
0.0
LGE3M45170B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC Код производителяLGE3M45170B КорпусTO247-3
12 627.55 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M45170B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт" 1.

LGE3M45170Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт
0.0
LGE3M45170Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC Код производителяLGE3M45170Q КорпусTO247-4
12 328.23 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M45170Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт" 1.

LGE3M50120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 43А; Idm: 145А; 327Вт
0.0
LGE3M50120B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,12мкC Код производителяLGE3M50120B КорпусTO247-3
3 198.98 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M50120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 43А; Idm: 145А; 327Вт" 1.

LGE3M50120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 43А; Idm: 145А; 344Вт
0.0
LGE3M50120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора0,12мкC Код производителяLGE3M50120Q КорпусTO247-4
3 292.52 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M50120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 43А; Idm: 145А; 344Вт" 1.

LGE3M60065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 36А; Idm: 97А; 208Вт
0.0
LGE3M60065Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора78нC Код производителяLGE3M60065Q КорпусTO247-4
2 413.27 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M60065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 36А; Idm: 97А; 208Вт" 1.

LGE3M70120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; Idm: 85А; 200Вт
0.0
LGE3M70120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора69нC Код производителяLGE3M70120Q КорпусTO247-4
2 899.66 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M70120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 27А; Idm: 85А; 200Вт" 1.

LGE3M80120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 28А; Idm: 80А; 208Вт
0.0
LGE3M80120B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора76нC Код производителяLGE3M80120B КорпусTO247-3
2 357.14 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M80120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 28А; Idm: 80А; 208Вт" 1.

LGE3M80120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 31А; Idm: 70А; 300Вт
0.0
LGE3M80120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора76нC Код производителяLGE3M80120Q КорпусTO247-4
2 413.27 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M80120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 31А; Idm: 70А; 300Вт" 1.

LND150N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 740мВт; TO92
0.0
LND150N3-G
Вид каналаобедненный Вид упаковкироссыпью Код производителяLND150N3-G КорпусTO92 МонтажTHT
148.81 ₽
Доступность: 1510 шт.
 

Минимальное количество для товара "LND150N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 740мВт; TO92" 3.

LND150N3-G-P002, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92
0.0
LND150N3-G-P002
Вид каналаобедненный Вид упаковкилента Код производителяLND150N3-G-P002 КорпусTO92 МонтажTHT
144.56 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND150N3-G-P002, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92" 1.

LND150N3-G-P003, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92
0.0
LND150N3-G-P003
Вид каналаобедненный Вид упаковкибобина, лента Код производителяLND150N3-G-P003 КорпусTO92 МонтажTHT
144.56 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND150N3-G-P003, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92" 1.

LND150N3-G-P013, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92
0.0
LND150N3-G-P013
Вид каналаобедненный Вид упаковкиAmmo Pack Код производителяLND150N3-G-P013 КорпусTO92 МонтажTHT
144.56 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND150N3-G-P013, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92" 1.

LND150N3-G-P014, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92
0.0
LND150N3-G-P014
Вид каналаобедненный Вид упаковкиAmmo Pack Код производителяLND150N3-G-P014 КорпусTO92 МонтажTHT
144.56 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LND150N3-G-P014, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 0,74Вт; TO92" 1.

LSIC1MO120E0080, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25А; Idm: 80А; 179Вт
0.0
LSIC1MO120E0080
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора95нC Код производителяLSIC1MO120E0080 КорпусTO247-3
3 438.78 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120E0080, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25А; Idm: 80А; 179Вт" 1.

LSIC1MO120E0120, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 60А; 139Вт
0.0
LSIC1MO120E0120
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора80нC Код производителяLSIC1MO120E0120 КорпусTO247-3
3 266.16 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LSIC1MO120E0120, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 60А; 139Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, выводные (THT — Through-Hole Technology) — это полупроводниковые приборы с длинными выводами, предназначенные для ручной или волновой пайки в отверстия печатной платы. Широко используются в промышленной автоматике, системах управления, источниках питания, учебных проектах и ремонте оборудования.

Отличаются высокой механической прочностью соединения и удобством обслуживания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N THT от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж