Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n tht - страница 119

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N THT
Транзисторы с каналом N SMD
Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Монтаж
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
IXTX4N300P3HV, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 3кВ; 4А; 960Вт; 420нс
0.0
IXTX4N300P3HV
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности420нс Заряд затвора139нC Код производителяIXTX4N300P3HV
13 357.14 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTX4N300P3HV, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 3кВ; 4А; 960Вт; 420нс" 1.

IXTX550N055T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 550А; 1250Вт; PLUS247™; 100нс
0.0
IXTX550N055T2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности100нс Заряд затвора595нC Код производителяIXTX550N055T2
5 211.73 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTX550N055T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 550А; 1250Вт; PLUS247™; 100нс" 1.

IXTX600N04T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 600А; 1250Вт; PLUS247™; 100нс
0.0
IXTX600N04T2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности100нс Заряд затвора590нC Код производителяIXTX600N04T2
5 169.22 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTX600N04T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 600А; 1250Вт; PLUS247™; 100нс" 1.

IXTX60N50L2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 60А; 960Вт; PLUS247™; 980нс
0.0
IXTX60N50L2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности980нс Заряд затвора610нC Код производителяIXTX60N50L2
8 349.49 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTX60N50L2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 60А; 960Вт; PLUS247™; 980нс" 1.

IXTX6N200P3HV, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 2кВ; 6А; 960Вт; 520нс
0.0
IXTX6N200P3HV
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности520нс Заряд затвора143нC Код производителяIXTX6N200P3HV
12 270.41 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTX6N200P3HV, Транзистор: N-MOSFET; Polar3™; полевой; 2кВ; 6А; 960Вт; 520нс" 1.

IXTX8N150L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,5кВ; 8А; 700Вт; PLUS247™; 1,7мкс
0.0
IXTX8N150L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,7мкс Заряд затвора250нC Код производителяIXTX8N150L
6 248.30 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTX8N150L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,5кВ; 8А; 700Вт; PLUS247™; 1,7мкс" 1.

IXTX90N25L2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 90А; 960Вт; PLUS247™; 266нс
0.0
IXTX90N25L2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности266нс Заряд затвора640нC Код производителяIXTX90N25L2
6 461.73 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTX90N25L2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 90А; 960Вт; PLUS247™; 266нс" 1.

J111, Транзистор: N-JFET; полевой; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
0.0
J111
Вид упаковкироссыпью Код производителяJ111 КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-35В
74.83 ₽
Доступность: 3059 шт.
 

Минимальное количество для товара "J111, Транзистор: N-JFET; полевой; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА" 1.

J112, Транзистор: N-JFET; полевой; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
0.0
J112
Вид упаковкироссыпью Код производителяJ112 КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-35В
90.14 ₽
Доступность: 3537 шт.
 

Минимальное количество для товара "J112, Транзистор: N-JFET; полевой; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА" 1.

LET9120, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 80В; 18А; 200Вт; M246; Pвых: 150Вт
0.0
LET9120
Вид каналаобогащенный Вид транзистораRF Вид упаковкироссыпью Выходная мощность150Вт Код производителяLET9120
42 391.16 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LET9120, Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 80В; 18А; 200Вт; M246; Pвых: 150Вт" 1.

LGE3M14120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 108А; Idm: 340А; 625Вт
0.0
LGE3M14120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора230нC Код производителяLGE3M14120Q КорпусTO247-4
13 824.83 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M14120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 108А; Idm: 340А; 625Вт" 1.

LGE3M160120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 14А; Idm: 48А; 134Вт
0.0
LGE3M160120B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора43нC Код производителяLGE3M160120B КорпусTO247-3
1 926.87 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M160120B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 14А; Idm: 48А; 134Вт" 1.

LGE3M160120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 50А; 138Вт
0.0
LGE3M160120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора43нC Код производителяLGE3M160120Q КорпусTO247-4
1 926.87 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M160120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 50А; 138Вт" 1.

LGE3M18120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 74А; Idm: 220А; 428Вт
0.0
LGE3M18120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора235нC Код производителяLGE3M18120Q КорпусTO247-4
5 855.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M18120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 74А; Idm: 220А; 428Вт" 1.

LGE3M1K170B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3,5А; Idm: 6А; 69Вт
0.0
LGE3M1K170B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора21,8нC Код производителяLGE3M1K170B КорпусTO247-3
1 002.55 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M1K170B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3,5А; Idm: 6А; 69Вт" 1.

LGE3M20120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; 428Вт; TO247-4
0.0
LGE3M20120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора254нC Код производителяLGE3M20120Q КорпусTO247-4
5 312.93 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M20120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; 428Вт; TO247-4" 1.

LGE3M25120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 200А; 370Вт
0.0
LGE3M25120Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC Код производителяLGE3M25120Q КорпусTO247-4
4 920.07 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M25120Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 200А; 370Вт" 1.

LGE3M28065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт
0.0
LGE3M28065Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора163нC Код производителяLGE3M28065Q КорпусTO247-4
4 620.75 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M28065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт" 1.

LGE3M30065B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 64А; Idm: 212А; 326Вт
0.0
LGE3M30065B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора147нC Код производителяLGE3M30065B КорпусTO247-3
4 358.84 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M30065B, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 64А; Idm: 212А; 326Вт" 1.

LGE3M30065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 54А; Idm: 170А; 300Вт
0.0
LGE3M30065Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Код производителяLGE3M30065Q КорпусTO247-4 МонтажTHT
4 489.80 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "LGE3M30065Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 54А; Idm: 170А; 300Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, выводные (THT — Through-Hole Technology) — это полупроводниковые приборы с длинными выводами, предназначенные для ручной или волновой пайки в отверстия печатной платы. Широко используются в промышленной автоматике, системах управления, источниках питания, учебных проектах и ремонте оборудования.

Отличаются высокой механической прочностью соединения и удобством обслуживания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N THT от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж