Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом P SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
80
RQ6L020SPTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2А; Idm: -8А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
RQ6L020SPTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
‍126‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ6L020SPTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2А; Idm: -8А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

RQ6L035ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -6,5А; Idm: -14А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
RQ6L035ATTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
‍205‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ6L035ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -6,5А; Idm: -14А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

RQ6P015SPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
RQ6P015SPTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
‍154‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RQ6P015SPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

RRF015P03TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; Idm: -6А; 0,8Вт; SOT323F
0.0
RRF015P03TL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,2нC КорпусSOT323F
‍98‍ ₽
Доступность: 2394 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RRF015P03TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; Idm: -6А; 0,8Вт; SOT323F" 1.

RRH050P03GZETB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
RRH050P03GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOP8
‍154‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RRH050P03GZETB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

RRH090P03TB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -9А; Idm: -36А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
RRH090P03TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусSOP8
‍242‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RRH090P03TB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -9А; Idm: -36А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

RRH100P03GZETB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
RRH100P03GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусSOP8
‍194‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RRH100P03GZETB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

RRH100P03TB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
RRH100P03TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусSOP8
‍268‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RRH100P03TB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

RRH140P03GZETB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -14А; Idm: -56А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
RRH140P03GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC КорпусSOP8
‍472‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RRH140P03GZETB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -14А; Idm: -56А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

RRL035P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1Вт; SOT363
0.0
RRL035P03FRATR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSOT363
‍101‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RRL035P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1Вт; SOT363" 1.

RRL035P03TR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1Вт; SOT363
0.0
RRL035P03TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT363
‍113‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RRL035P03TR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1Вт; SOT363" 1.

RRQ030P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 1,25Вт; SOT457
0.0
RRQ030P03FRATR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSOT457
‍52‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RRQ030P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 1,25Вт; SOT457" 3.

RRR030P03FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; SOT346
0.0
RRR030P03FRATL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSOT346
‍54‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RRR030P03FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; SOT346" 3.

RRR030P03HZGTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; SOT346; ESD
0.0
RRR030P03HZGTL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSOT346
‍106‍ ₽
Доступность: 2990 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RRR030P03HZGTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; SOT346; ESD" 1.

RRR040P03FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -16А; 1Вт; SOT346
0.0
RRR040P03FRATL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусSOT346
‍154‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RRR040P03FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -16А; 1Вт; SOT346" 1.

RRS100P03HZGTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD
0.0
RRS100P03HZGTB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC КорпусSOP8
‍379‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RRS100P03HZGTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

RS3E075ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт; SOP8
0.0
RS3E075ATTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍107‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RS3E075ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт; SOP8" 1.

RSC002P03T316, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,25А; 200мВт
0.0
RSC002P03T316
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍42‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RSC002P03T316, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,25А; 200мВт" 1.

RSF010P05TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -1А; Idm: -4А; 800мВт; TUMT3
0.0
RSF010P05TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,3нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
‍108‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RSF010P05TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -1А; Idm: -4А; 800мВт; TUMT3" 1.

RSJ151P10TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; Idm: -30А; 50Вт; D2PAK
0.0
RSJ151P10TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍287‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RSJ151P10TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; Idm: -30А; 50Вт; D2PAK" 1.

RSJ250P10FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -25А; Idm: -50А; 50Вт; TO263
0.0
RSJ250P10FRATL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусTO263
‍331‍ ₽
Доступность: 109 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RSJ250P10FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -25А; Idm: -50А; 50Вт; TO263" 1.

RSJ250P10TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -25А; Idm: -50А; 50Вт; D2PAK
0.0
RSJ250P10TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍530‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RSJ250P10TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -25А; Idm: -50А; 50Вт; D2PAK" 1.

RSM002P03T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 150мВт
0.0
RSM002P03T2L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍53‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RSM002P03T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 150мВт" 1.

RSQ015P10FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
RSQ015P10FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
‍154‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RSQ015P10FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

RSQ015P10HZGTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
RSQ015P10HZGTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
‍164‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RSQ015P10HZGTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

RSQ025P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
RSQ025P03FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,4нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
‍52‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RSQ025P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

RSQ035P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
RSQ035P03FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,2нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
‍63‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RSQ035P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

RSR015P06FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,5А; Idm: -6А; 1Вт; TSMT3
0.0
RSR015P06FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
‍58‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RSR015P06FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,5А; Idm: -6А; 1Вт; TSMT3" 3.

RSR015P06HZGTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,5А; Idm: -6А; 1Вт; TSMT3
0.0
RSR015P06HZGTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
‍162‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RSR015P06HZGTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,5А; Idm: -6А; 1Вт; TSMT3" 1.

RSR025P03FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А; 1Вт; TSMT3
0.0
RSR025P03FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,4нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
‍53‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RSR025P03FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А; 1Вт; TSMT3" 3.

RSS060P05FRATB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -6А; Idm: -24А; 2Вт; SOP8
0.0
RSS060P05FRATB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусSOP8 МонтажSMD
‍140‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RSS060P05FRATB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -6А; Idm: -24А; 2Вт; SOP8" 1.

RSU002P03T106, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 200мВт
0.0
RSU002P03T106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍50‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RSU002P03T106, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 200мВт" 1.

RTL020P02FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TUMT6
0.0
RTL020P02FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,9нC КорпусTUMT6 МонтажSMD
‍110‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RTL020P02FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TUMT6" 1.

RTQ025P02FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -10А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
RTQ025P02FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,4нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
‍52‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RTQ025P02FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -10А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

RTQ035P02FHATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; Idm: -14А; 1,25Вт; TSMT6
0.0
RTQ035P02FHATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
‍155‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RTQ035P02FHATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; Idm: -14А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

RTR020P02FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TSMT3
0.0
RTR020P02FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,9нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
‍53‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RTR020P02FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TSMT3" 3.

RTR025P02FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -10А; 1Вт; TSMT3
0.0
RTR025P02FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
‍56‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RTR025P02FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -10А; 1Вт; TSMT3" 3.

RTR030P02FHATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; TSMT3
0.0
RTR030P02FHATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,3нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
‍142‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RTR030P02FHATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; TSMT3" 1.

RU1C001ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 200мВт
0.0
RU1C001ZPTL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323F МонтажSMD
‍32‍ ₽
Доступность: 55 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RU1C001ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 200мВт" 1.

RU1C002ZPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт
0.0
RU1C002ZPTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT323F МонтажSMD
‍35‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RU1C002ZPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

RU1E002SPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 200мВт
0.0
RU1E002SPTCL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323F МонтажSMD
‍39‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RU1E002SPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 200мВт" 1.

RV1C001ZPT2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 100мВт
0.0
RV1C001ZPT2L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусX2-DFN0806-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
‍48‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RV1C001ZPT2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 100мВт" 1.

RV2C014BCT2CL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -2,8А; 600мВт
0.0
RV2C014BCT2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1006-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍76‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RV2C014BCT2CL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -2,8А; 600мВт" 1.

RZF013P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -5,2А; 800мВт
0.0
RZF013P01TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,4нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
‍87‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RZF013P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -5,2А; 800мВт" 1.

RZF020P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3
0.0
RZF020P01TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
‍127‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RZF020P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3" 1.

RZF030P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 800мВт; TUMT3
0.0
RZF030P01TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
‍96‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "RZF030P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 800мВт; TUMT3" 1.

RZM001P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -0,4А; 150мВт; ESD
0.0
RZM001P02T2L
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
‍31‍ ₽
Доступность: 1564 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RZM001P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -0,4А; 150мВт; ESD" 1.

RZM002P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,2А; Idm: -0,8А; 150мВт; ESD
0.0
RZM002P02T2L
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
‍34‍ ₽
Доступность: 6151 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "RZM002P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,2А; Idm: -0,8А; 150мВт; ESD" 1.

SCH1332-TL-W, Транзистор: P-MOSFET
0.0
SCH1332TLW-ONS
Обозначение производителяSCH1332-TL-W ПроизводительONSEMI Тип транзистораP-MOSFET
‍31‍ ₽
Доступность: 4638 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SCH1332-TL-W, Транзистор: P-MOSFET" 424.

SI1013CX-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -450мА; Idm: -1,5А
0.0
SI1013CX-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC КорпусSC89 МонтажSMD
‍50‍ ₽
Доступность: 955 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI1013CX-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -450мА; Idm: -1,5А" 1.

SI1013R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,275А; 0,08Вт; SC75A; ESD
0.0
SI1013R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSC75A
‍68‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1013R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,275А; 0,08Вт; SC75A; ESD" 3.

SI1021R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт
0.0
SI1021R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSC75A
‍101‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1021R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт" 1.

SI1025X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт
0.0
SI1025X-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSC89, SOT563
‍103‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1025X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт" 1.

SI1031R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт
0.0
SI1031R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSC75A
‍97‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1031R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт" 5.

SI1077X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А
0.0
SI1077X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31,1нC КорпусSC89 МонтажSMD
‍76‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1077X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А" 1.

SI1317DL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А; 0,3Вт; SC70
0.0
SI1317DL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусSC70 МонтажSMD
‍96‍ ₽
Доступность: 1836 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI1317DL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А; 0,3Вт; SC70" 1.

SI1401EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -25А; 1,8Вт; SC70; ESD
0.0
SI1401EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSC70
‍95‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1401EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -25А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

SI1403CDL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 0,6Вт; SC70-6
0.0
SI1403CDL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSC70-6 МонтажSMD
‍48‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1403CDL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 0,6Вт; SC70-6" 3.

SI1411DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,38А; 0,81Вт; SC70-6
0.0
SI1411DH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусSC70-6 МонтажSMD
‍96‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1411DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,38А; 0,81Вт; SC70-6" 1.

SI1427EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1,8Вт; SC70; ESD
0.0
SI1427EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSC70
‍71‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1427EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

SI1443EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А; 1,8Вт; SC70; ESD
0.0
SI1443EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусSC70
‍90‍ ₽
Доступность: 1850 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI1443EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

SI2301A-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23
0.0
SI2301A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍81‍ ₽
Доступность: 1257 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2301A-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23" 1.

SI2301BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -10А; 0,45Вт; SOT23
0.0
SI2301BDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍81‍ ₽
Доступность: 1 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2301BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -10А; 0,45Вт; SOT23" 1.

SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 1,6Вт; SOT23
0.0
SI2301CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍79‍ ₽
Доступность: 4658 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2303CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А; 1,5Вт; SOT23
0.0
SI2303CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍98‍ ₽
Доступность: 1750 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2303CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А; 1,5Вт; SOT23" 1.

SI2305B-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -4,2А; 1,4Вт; SOT23
0.0
SI2305B-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍56‍ ₽
Доступность: 5723 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2305B-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -4,2А; 1,4Вт; SOT23" 1.

SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -3,5А; Idm: -20А
0.0
SI2305CDS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍23‍ ₽
Доступность: 3 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -3,5А; Idm: -20А" 1.

SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -3,5А; Idm: -20А
0.0
SI2305CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍82‍ ₽
Доступность: 2048 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -3,5А; Idm: -20А" 1.

SI2307-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -12А; 1,1Вт
0.0
SI2307-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍72‍ ₽
Доступность: 3083 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2307-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -12А; 1,1Вт" 1.

SI2307BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23
0.0
SI2307BDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍147‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI2307BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23" 1.

SI2307CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1,8Вт; SOT23
0.0
SI2307CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍112‍ ₽
Доступность: 2514 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2307CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1,8Вт; SOT23" 1.

SI2309CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,3А; 1,1Вт; SOT23
0.0
SI2309CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍108‍ ₽
Доступность: 1211 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2309CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,3А; 1,1Вт; SOT23" 1.

SI2315BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; 1,19Вт; SOT23
0.0
SI2315BDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍88‍ ₽
Доступность: 14 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2315BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; 1,19Вт; SOT23" 1.

SI2315BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23
0.0
SI2315BDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍128‍ ₽
Доступность: 2260 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2315BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23" 1.

SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -3,5А; 1,6Вт; SOT23
0.0
SI2319CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍129‍ ₽
Доступность: 4077 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -3,5А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2319DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3,6А; Idm: -15А
0.0
SI2319DDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍98‍ ₽
Доступность: 448 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2319DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3,6А; Idm: -15А" 1.

SI2319DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А
0.0
SI2319DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍182‍ ₽
Доступность: 2663 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2319DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А" 1.

SI2319DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3А; Idm: -12А
0.0
SI2319DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍127‍ ₽
Доступность: 1928 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2319DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3А; Idm: -12А" 1.

SI2323CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23
0.0
SI2323CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍97‍ ₽
Доступность: 1685 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2323CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
0.0
SI2323DDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍116‍ ₽
Доступность: 2539 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Показать еще 80 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)