Товары из категории транзисторы с каналом p smd, стр.11

Производитель

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
RQ6L020SPTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,2нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
114.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ6L020SPTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2А; Idm: -8А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
RQ6L035ATTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
187.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ6L035ATTCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -6,5А; Idm: -14А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
RQ6P015SPTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
141.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ6P015SPTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
RRF015P03TL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,2нC КорпусSOT323F
89.92 
Доступность: 2394 шт.
 

Минимальное количество для товара "RRF015P03TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; Idm: -6А; 0,8Вт; SOT323F" 1.

0.0
RRH050P03GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOP8
141.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRH050P03GZETB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
RRH090P03TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусSOP8
220.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRH090P03TB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -9А; Idm: -36А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
RRH100P03GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусSOP8
177.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRH100P03GZETB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
RRH100P03TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусSOP8
244.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRH100P03TB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
RRH140P03GZETB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC КорпусSOP8
431.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRH140P03GZETB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -14А; Idm: -56А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
RRL035P03FRATR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSOT363
92.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRL035P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1Вт; SOT363" 1.

0.0
RRL035P03TR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT363
103.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRL035P03TR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1Вт; SOT363" 1.

0.0
RRQ030P03FRATR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSOT457
47.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRQ030P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 1,25Вт; SOT457" 3.

0.0
RRR030P03FRATL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSOT346
49.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRR030P03FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; SOT346" 3.

0.0
RRR030P03HZGTL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSOT346
96.90 
Доступность: 2990 шт.
 

Минимальное количество для товара "RRR030P03HZGTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; SOT346; ESD" 1.

0.0
RRR040P03FRATL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусSOT346
141.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRR040P03FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -16А; 1Вт; SOT346" 1.

0.0
RRS100P03HZGTB
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC КорпусSOP8
345.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRS100P03HZGTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

0.0
RS3E075ATTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOP8 МонтажSMD
97.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS3E075ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт; SOP8" 1.

0.0
RSC002P03T316
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
37.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSC002P03T316, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,25А; 200мВт" 1.

0.0
RSF010P05TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,3нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
98.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSF010P05TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -1А; Idm: -4А; 800мВт; TUMT3" 1.

0.0
RSJ151P10TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусD2PAK МонтажSMD
262.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSJ151P10TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; Idm: -30А; 50Вт; D2PAK" 1.

0.0
RSJ250P10FRATL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусTO263
302.33 
Доступность: 97 шт.
 

Минимальное количество для товара "RSJ250P10FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -25А; Idm: -50А; 50Вт; TO263" 1.

0.0
RSJ250P10TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусD2PAK МонтажSMD
483.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSJ250P10TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -25А; Idm: -50А; 50Вт; D2PAK" 1.

0.0
RSM002P03T2L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
48.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSM002P03T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 150мВт" 1.

0.0
RSQ015P10FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
141.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ015P10FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
RSQ015P10HZGTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
149.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ015P10HZGTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
RSQ025P03FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,4нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
47.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ025P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

0.0
RSQ035P03FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,2нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
57.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ035P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

0.0
RSR015P06FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
52.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSR015P06FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,5А; Idm: -6А; 1Вт; TSMT3" 3.

0.0
RSR015P06HZGTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
148.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSR015P06HZGTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,5А; Idm: -6А; 1Вт; TSMT3" 1.

0.0
RSR025P03FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,4нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
48.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSR025P03FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А; 1Вт; TSMT3" 3.

0.0
RSS060P05FRATB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусSOP8 МонтажSMD
127.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSS060P05FRATB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -6А; Idm: -24А; 2Вт; SOP8" 1.

0.0
RSU002P03T106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
45.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSU002P03T106, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 200мВт" 1.

0.0
RTL020P02FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,9нC КорпусTUMT6 МонтажSMD
100.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTL020P02FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TUMT6" 1.

0.0
RTQ025P02FRATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,4нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
47.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTQ025P02FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -10А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

0.0
RTQ035P02FHATR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
141.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTQ035P02FHATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; Idm: -14А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
RTR020P02FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,9нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
48.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR020P02FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1Вт; TSMT3" 3.

0.0
RTR025P02FRATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
51.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR025P02FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -10А; 1Вт; TSMT3" 3.

0.0
RTR030P02FHATL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,3нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
129.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RTR030P02FHATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -12А; 1Вт; TSMT3" 1.

0.0
RU1C001ZPTL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323F МонтажSMD
29.46 
Доступность: 55 шт.
 

Минимальное количество для товара "RU1C001ZPTL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 200мВт" 1.

0.0
RU1C002ZPTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусSOT323F МонтажSMD
31.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RU1C002ZPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

0.0
RU1E002SPTCL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT323F МонтажSMD
35.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RU1E002SPTCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: -0,5А; 200мВт" 1.

0.0
RV1C001ZPT2L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусX2-DFN0806-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
44.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV1C001ZPT2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -100мА; Idm: -0,4А; 100мВт" 1.

0.0
RV2C014BCT2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1006-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
68.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV2C014BCT2CL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -2,8А; 600мВт" 1.

0.0
RZF013P01TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,4нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
79.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RZF013P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -5,2А; 800мВт" 1.

0.0
RZF020P01TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
116.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RZF020P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3" 1.

0.0
RZF030P01TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
87.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RZF030P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 800мВт; TUMT3" 1.

0.0
RZM001P02T2L
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
28.68 
Доступность: 1218 шт.
 

Минимальное количество для товара "RZM001P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -0,4А; 150мВт; ESD" 1.

0.0
RZM002P02T2L
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
31.01 
Доступность: 4130 шт.
 

Минимальное количество для товара "RZM002P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,2А; Idm: -0,8А; 150мВт; ESD" 1.

0.0
SCH1332TLW-ONS
Обозначение производителяSCH1332-TL-W ПроизводительONSEMI Тип транзистораP-MOSFET
28.68 
Доступность: 4638 шт.
 

Минимальное количество для товара "SCH1332-TL-W, Транзистор: P-MOSFET" 424.

0.0
SI1013CX-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,5нC КорпусSC89 МонтажSMD
45.74 
Доступность: 915 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1013CX-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -450мА; Idm: -1,5А" 1.

0.0
SI1013R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSC75A
62.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1013R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,275А; 0,08Вт; SC75A; ESD" 3.

0.0
SI1021R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSC75A
92.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1021R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт" 1.

0.0
SI1025X-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSC89, SOT563
93.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1025X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт" 1.

0.0
SI1031R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSC75A
88.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1031R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт" 5.

0.0
SI1077X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31,1нC КорпусSC89 МонтажSMD
69.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1077X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А" 1.

0.0
SI1317DL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусSC70 МонтажSMD
87.60 
Доступность: 1450 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1317DL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А; 0,3Вт; SC70" 1.

0.0
SI1401EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSC70
86.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1401EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -25А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

0.0
SI1403CDL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSC70-6 МонтажSMD
43.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1403CDL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 0,6Вт; SC70-6" 3.

0.0
SI1411DH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусSC70-6 МонтажSMD
87.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1411DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,38А; 0,81Вт; SC70-6" 1.

0.0
SI1427EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSC70
65.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1427EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

0.0
SI1443EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусSC70
82.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1443EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

0.0
SI2301A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
73.64 
Доступность: 1137 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2301A-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2301BDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
73.64 
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2301BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -10А; 0,45Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2301CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
72.09 
Доступность: 2775 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2303CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
89.92 
Доступность: 927 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2303CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А; 1,5Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2305B-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
51.16 
Доступность: 5198 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2305B-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -4,2А; 1,4Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2305CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSOT23 МонтажSMD
75.19 
Доступность: 881 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2305CDS-T1-GE3, Полевой транзистор P-канальный MOSFET (TrenchFET®), напряжение -8 В, ток -3,5 А, импульсный ток до -20 А" 1.

0.0
SI2305CDS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSOT23 МонтажSMD
20.93 
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2305CDS, Полевой транзистор P-канальный MOSFET (TrenchFET®), напряжение -8 В, ток -3,5 А, импульсный ток до -20 А" 1.

0.0
SI2307-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC КорпусSOT23 МонтажSMD
65.89 
Доступность: 2558 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2307-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -12А; 1,1Вт" 1.

0.0
SI2307BDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
134.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2307BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2307CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC КорпусSOT23 МонтажSMD
102.33 
Доступность: 3880 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2307CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1,8Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2309CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
98.45 
Доступность: 11335 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2309CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,3А; 1,1Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2315BDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
80.62 
Доступность: 14 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2315BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; 1,19Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2315BDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
117.05 
Доступность: 2240 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2315BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2319CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
117.83 
Доступность: 3315 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -3,5А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2319DDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусSOT23 МонтажSMD
89.15 
Доступность: 391 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3,6А; Idm: -15А" 1.

0.0
SI2319DS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOT23 МонтажSMD
165.89 
Доступность: 570 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А" 1.

0.0
SI2319DS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOT23 МонтажSMD
116.28 
Доступность: 1928 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2319DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3А; Idm: -12А" 1.

0.0
SI2323CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOT23 МонтажSMD
88.37 
Доступность: 1657 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2323CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,6А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
SI2323DDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
106.20 
Доступность: 1398 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Показать еще 80 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж