Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 199

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Код производителяIPD80R1K4CEATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
319.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R1K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,3А; 63Вт; PG-TO252-3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Код производителяIPD80R1K4P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
222.79 
Доступность: 2446 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Код производителяIPD80R280P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
592.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10,6А; 101Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC Код производителяIPD80R2K0P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3
221.94 
Доступность: 1460 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,5нC Код производителяIPD80R2K4P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3
210.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 22Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC Код производителяIPD80R360P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3
495.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 84Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC Код производителяIPD80R3K3P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3
189.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора24нC Код производителяIPD80R450P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R450P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 7,1А; 73Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC Код производителяIPD80R4K5P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3
182.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 13Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC Код производителяIPD80R750P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 51Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC Код производителяIPD80R900P7ATMA1 КорпусPG-TO252-3
297.62 
Доступность: 2456 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора110нC Код производителяIPD90N03S4L02ATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90N03S4L02ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 30В; 90А; 136Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора60нC Код производителяIPD90N04S304ATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90N04S304ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 90А; 136Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора20нC Код производителяIPD90N04S404ATMA1 КорпусPG-TO252-3-313
271.26 
Доступность: 2209 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD90N04S404ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 81А; Idm: 360А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18нC Код производителяIPD90N04S405ATMA1 КорпусPG-TO252-3-313
181.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90N04S405ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 61А; Idm: 344А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC Код производителяIPD90N06S407ATMA2 КорпусPG-TO252-3-11
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90N06S407ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 63А; Idm: 360А; 79Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD90R1K2C3ATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
302.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90R1K2C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD90R1K2C3BTMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
246.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90R1K2C3BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора15нC Код производителяIPD95R1K2P7ATMA1
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD95R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 3,7А; 52Вт; DPAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора10нC Код производителяIPD95R2K0P7ATMA1
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD95R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 2,4А; 37Вт; DPAK; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж