Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 200

Фильтры товаров
Производитель
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора35нC Код производителяIPD95R450P7ATMA1
403.91 
Доступность: 1297 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD95R450P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора23нC Код производителяIPD95R750P7ATMA1
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD95R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 5,5А; 73Вт; DPAK; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC Код производителяIPDD60R050G7XTMA1 КорпусPG-HDSOP-10-1
1 442.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R050G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 47А; Idm: 135А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяIPDD60R080G7XTMA1 КорпусPG-HDSOP-10-1
1 206.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R080G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 29А; Idm: 83А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC Код производителяIPDD60R102G7XTMA1 КорпусPG-HDSOP-10-1
969.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R102G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 23А; Idm: 66А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяIPDD60R125G7XTMA1 КорпусPG-HDSOP-10-1
583.33 
Доступность: 42 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R125G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 20А; Idm: 54А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяIPDD60R150G7XTMA1 КорпусPG-HDSOP-10-1
704.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R150G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 16А; Idm: 45А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяIPDD60R190G7XTMA1 КорпусPG-HDSOP-10-1
567.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R190G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 13А; Idm: 36А" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPI020N06NAKSA1 КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
761.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI020N06NAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 214Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPI024N06N3GXKSA1 КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
447.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI024N06N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPI029N06NAKSA1 КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
517.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI029N06NAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPI030N10N3GXKSA1 КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
897.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI030N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPI032N06N3GAKSA1 КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
385.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI032N06N3GAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPI040N06N3GXKSA1 КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
233.84 
Доступность: 133 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPI040N06N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPI041N12N3GAKSA1 КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
1 131.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI041N12N3GAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPI045N10N3GXKSA1 КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
793.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI045N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPI075N15N3GXKSA1 КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
1 079.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI075N15N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPI076N12N3GAKSA1 КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
735.54 
Доступность: 146 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPI076N12N3GAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 100А; 168Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPI086N10N3GXKSA1 КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
385.20 
Доступность: 110 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPI086N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPI111N15N3GAKSA1 КорпусPG-TO262-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
1 062.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPI111N15N3GAKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO262-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж