Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 194

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Заряд затвора95нC Код производителяIPC100N04S5L-1R5 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
190.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-1R5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 115Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора81нC Код производителяIPC100N04S5L-1R9 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
278.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-1R9, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 100Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора55нC Код производителяIPC100N04S5L-2R6 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
149.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-2R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 75Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора18нC Код производителяIPC50N04S5-5R8 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
203.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC50N04S5-5R8, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 42Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора23нC Код производителяIPC50N04S5L-5R5 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
175.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC50N04S5L-5R5, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 42Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора24,2нC Код производителяIPC70N04S5-4R6 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
249.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC70N04S5-4R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 70А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC Код производителяIPC70N04S5L-4R2 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
164.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC70N04S5L-4R2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 70А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора32,6нC Код производителяIPC90N04S5-3R6 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
153.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC90N04S5-3R6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 90А; 63Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора40нC Код производителяIPC90N04S5L-3R3 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
176.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC90N04S5L-3R3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 90А; 62Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD025N06NATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
386.90 
Доступность: 1381 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD025N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 167Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD031N03LGATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
137.76 
Доступность: 2583 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD031N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD031N06L3GATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
389.46 
Доступность: 347 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD031N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD034N06N3GATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
430.27 
Доступность: 560 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD034N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD038N06N3GATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
417.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD038N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD040N03LGATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
238.95 
Доступность: 1233 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD040N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD050N03LGATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
242.35 
Доступность: 1173 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD050N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD053N06NATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD053N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 45А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD060N03LGATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
127.55 
Доступность: 440 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD060N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 43А; 56Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD075N03LGATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
72.28 
Доступность: 2291 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD075N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPD082N10N3GATMA1 КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
318.03 
Доступность: 634 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD082N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO252-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж