Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 204

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Код производителяIPL65R420E6AUMA1 КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
431.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL65R420E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,1А; 83Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPL65R460CFDAUMA1 КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
424.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL65R460CFDAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,3А; 83,3Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPL65R660E6AUMA1 КорпусPG-VSON-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
308.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPL65R660E6AUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; 63Вт; PG-VSON-4" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC Код производителяIPN50R2K0CEATMA1 КорпусPG-SOT223 МонтажSMD
78.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN50R2K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,3А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора12,4нC Код производителяIPN50R800CEATMA1 КорпусPG-SOT223 МонтажSMD
115.65 
Доступность: 2727 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPN50R800CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,8А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC Код производителяIPN50R950CEATMA1 КорпусPG-SOT223 МонтажSMD
77.38 
Доступность: 944 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPN50R950CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,2А; 5Вт; PG-SOT223" 3.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPN60R1K5CEATMA1 КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN60R1K5CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,2А; Idm: 8,4А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,7нC Код производителяIPN60R2K1CEATMA1 КорпусPG-SOT223 МонтажSMD
132.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN60R2K1CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,4А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Код производителяIPN60R360P7SATMA1 КорпусPG-SOT223 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN60R360P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; Idm: 26А; 7Вт; PG-SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPN60R3K4CEATMA1 КорпусPG-SOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN60R3K4CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 1,6А; Idm: 3,9А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC Код производителяIPN60R600P7SATMA1 КорпусPG-SOT223
183.67 
Доступность: 2784 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPN60R600P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора15,2нC Код производителяIPN70R1K0CEATMA1 КорпусPG-SOT223 МонтажSMD
323.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN70R1K0CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 4,7А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора10,5нC Код производителяIPN70R1K5CEATMA1 КорпусPG-SOT223 МонтажSMD
96.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN70R1K5CEATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,4А; 5Вт; PG-SOT223" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора16,4нC Код производителяIPN70R360P7SATMA1 КорпусPG-SOT223
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN70R360P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 7,2Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,8нC Код производителяIPN70R900P7SATMA1 КорпусPG-SOT223
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN70R900P7SATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,5А; 6,5Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора11нC Код производителяIPN80R1K2P7ATMA1
190.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,1А; 6,8Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора10нC Код производителяIPN80R1K4P7ATMA1
226.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R1K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора8нC Код производителяIPN80R2K4P7ATMA1
181.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 6,3Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора6нC Код производителяIPN80R3K3P7ATMA1
147.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPN80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 6,1Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора4нC Код производителяIPN80R4K5P7ATMA1
164.97 
Доступность: 1986 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPN80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж