Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 193

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R099C6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 635.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R099C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 38А; 278Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R110CFDATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 563.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R110CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 31,2А; 277,8Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R150CFDATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
763.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R150CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 22,4А; 195,3Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R190C7ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
690.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R190C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; 72Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R190CFDATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
681.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R190CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 17,5А; 151Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R280E6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
527.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R280E6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13,8А; 104Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R310CFDATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
465.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R310CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 11,4А; 104,2Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R380C6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
375.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R380C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,6А; 83Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R420CFDATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
364.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R420CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,7А; 310Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R660CFDATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R660CFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора103нC Код производителяIPB80N04S2H4ATMA2 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD
585.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB80N04S2H4ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора95нC Код производителяIPB80N06S2L07ATMA3 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD
568.88 
Доступность: 647 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB80N06S2L07ATMA3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC Код производителяIPB80N06S405ATMA2 КорпусPG-TO263-3-2
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB80N06S405ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 75А; Idm: 320А; 107Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора183нC Код производителяIPB80N08S2L07ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB80N08S2L07ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB90R340C3ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
804.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB90R340C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 9,5А; 208Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора131нC Код производителяIPC100N04S5-1R2 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5-1R2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 150Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора83нC Код производителяIPC100N04S5-1R7 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5-1R7, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 115Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора65нC Код производителяIPC100N04S5-1R9 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
159.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5-1R9, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 100Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC Код производителяIPC100N04S5-2R8 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
226.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5-2R8, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 75Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,14мкC Код производителяIPC100N04S5L-1R1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD
280.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPC100N04S5L-1R1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 150Вт; PG-TDSON-8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж