Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 80

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора96нC Код производителяSI5471DC-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5471DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC Код производителяSI5618-TP КорпусSOT23
92.69 
Доступность: 527 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI5618-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,2А; Idm: -7,6А; 830мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,4нC Код производителяSI5618A-TP КорпусSOT23
96.94 
Доступность: 1677 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI5618A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC Код производителяSI5935CDC-T1-E3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5935CDC-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSI6415DQ-T1-E3 КорпусTSSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6415DQ-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,5А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSI6415DQ-T1-GE3 КорпусTSSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6415DQ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,5А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC Код производителяSI6423DQ-T1-E3 КорпусTSSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6423DQ-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -9,5А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC Код производителяSI6423DQ-T1-GE3 КорпусTSSOP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6423DQ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8,2А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC Код производителяSI7101DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
320.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC Код производителяSI7111EDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7111EDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16,5нC Код производителяSI7113ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7113ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -10,8А; Idm: -20А; 17,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC Код производителяSI7113DN-T1-E3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7113DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -13,2А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC Код производителяSI7113DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
308.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7113DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -3,5А; Idm: -20А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSI7115DN-T1-E3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7115DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -8,9А; Idm: -15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSI7115DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
488.10 
Доступность: 363 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7115DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -8,9А; Idm: -15А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSI7117DN-T1-E3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7117DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -2,17А; 12,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSI7117DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7117DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -2,17А; 12,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSI7119DN-T1-E3 КорпусPowerPAK® 1212-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7119DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -200В; -3,8А; Idm: -5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSI7119DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
291.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7119DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -1,2А; Idm: -5А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSI7121ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
173.47 
Доступность: 598 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7121ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -50А; 17,8Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж