Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 80

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора96нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5471DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
68.81 
Доступность: 527 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI5618-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,2А; Idm: -7,6А; 830мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
70.34 
Доступность: 1677 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI5618A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5935CDC-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6415DQ-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,5А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6415DQ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,5А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6423DQ-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -9,5А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6423DQ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8,2А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
226.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7111EDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7113ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -10,8А; Idm: -20А; 17,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7113DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -13,2А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
247.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7113DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -3,5А; Idm: -20А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7115DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -8,9А; Idm: -15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
319.57 
Доступность: 1843 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7115DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -8,9А; Idm: -15А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7117DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -2,17А; 12,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7117DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -2,17А; 12,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7119DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -200В; -3,8А; Idm: -5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
194.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7119DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -1,2А; Idm: -5А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
123.85 
Доступность: 1864 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7121ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -50А; 17,8Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж