Товары из категории транзисторы униполярные - страница 400

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности0,6мкс Заряд затвора260нC КорпусTO264
10 035.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTK46N50L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 46А; 700Вт; TO264; 600нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности100нс Заряд затвора595нC КорпусTO264
4 818.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTK550N055T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 550А; 1250Вт; TO264; 100нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности100нс Заряд затвора590нC КорпусTO264
4 818.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTK600N04T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 600А; 1250Вт; TO264; 100нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности980нс Заряд затвора610нC КорпусTO264
7 746.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTK60N50L2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 60А; 960Вт; TO264; 980нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора142нC КорпусTO264
1 767.58 
Доступность: 287 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTK82N25P, Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; полевой; 250В; 82А; 500Вт; TO264" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,7мкс Заряд затвора250нC КорпусTO264
7 173.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTK8N150L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,5кВ; 8А; 700Вт; TO264; 1,7мкс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности266нс Заряд затвора640нC КорпусTO264
5 197.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTK90N25L2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 90А; 960Вт; TO264; 266нс" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности315нс Заряд затвора205нC КорпусTO264
3 627.68 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "IXTK90P20P, Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; полевой; -200В; -90А; 890Вт; TO264" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,75мкс Заряд затвора180нC КорпусISOPLUS i5-pac™
33 257.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTL2N450, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 4,5кВ; 2А; 220Вт; ISOPLUS i5-pac™" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности1,75мкс Заряд затвора180нC КорпусISOPLUS i5-pac™
22 622.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTL2N470, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 4,7кВ; 2А; 220Вт; ISOPLUS i5-pac™" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности450нс Заряд затвора152нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
5 370.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN102N65X2, Модуль; одиночный транзистор; 650В; 76А; SOT227B; винтами; 595Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности420нс Заряд затвора500нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 058.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN110N20L2, Модуль; одиночный транзистор; 200В; 100А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности300нс Заряд затвора740нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
11 410.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN120P20T, Модуль; одиночный транзистор; -200В; -106А; SOT227B; винтами" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности176нс Заряд затвора240нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN170P10P, Модуль; одиночный транзистор; -100В; -170А; SOT227B; винтами" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности1,83мкс Заряд затвора155нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 800.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN17N120L, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 15А; SOT227B; винтами; 540Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности245нс Заряд затвора540нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 120.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN200N10L2, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; винтами; 830Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности76нс Заряд затвора152нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
7 208.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN200N10T, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 200А; SOT227B; винтами; 550Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности200нс Заряд затвора740нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
8 841.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN210P10T, Модуль; одиночный транзистор; -100В; -210А; SOT227B; винтами" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности1мкс Заряд затвора0,27мкC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
13 800.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN22N100L, Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 22А; SOT227B; винтами; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Время готовности206нс Заряд затвора546нC Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B
9 560.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IXTN240N075L2, Модуль; одиночный транзистор; 75В; 225А; SOT227B; винтами; 735Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж