Москва
 +7(993)080-09-37

Товары из категории транзисторы - страница 405

Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
SI3483CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; 2,7Вт; TSOP6
0.0
SI3483CDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
175.98 ₽
Доступность: 856 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3483CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; 2,7Вт; TSOP6" 1.

SI3493DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А
0.0
SI3493DDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
43.05 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3493DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А" 1.

SI3499DV-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -7А; Idm: -20А; 2Вт
0.0
SI3499DV-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
161.63 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3499DV-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -7А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

SI3552DV-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А
0.0
SI3552DV-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6/3,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
194.11 ₽
Доступность: 168 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3552DV-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А" 1.

SI3585CDV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3,1/-1,7А; 0,9/8Вт
0.0
SI3585CDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,8/9нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
126.13 ₽
Доступность: 4200 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3585CDV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3,1/-1,7А; 0,9/8Вт" 1.

SI4056DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11,1А; Idm: 70А; 3,6Вт; SO8
0.0
SI4056DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29,5нC КорпусSO8 МонтажSMD
203.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4056DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11,1А; Idm: 70А; 3,6Вт; SO8" 1.

SI4062DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 25,7А; 5Вт; SO8
0.0
SI4062DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,8нC КорпусSO8 МонтажSMD
275.68 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4062DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 25,7А; 5Вт; SO8" 1.

SI4128DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8,7А; 3,2Вт; SO8
0.0
SI4128DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,8нC КорпусSO8 МонтажSMD
159.37 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4128DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8,7А; 3,2Вт; SO8" 1.

SI4134DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11,2А; 3,2Вт; SO8
0.0
SI4134DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,3нC КорпусSO8 МонтажSMD
181.27 ₽
Доступность: 5679 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4134DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11,2А; 3,2Вт; SO8" 1.

SI4162DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15,4А; 3,2Вт; SO8
0.0
SI4162DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,8нC КорпусSO8 МонтажSMD
189.58 ₽
Доступность: 767 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4162DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15,4А; 3,2Вт; SO8" 1.

SI4174DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13,5А; 3,2Вт; SO8
0.0
SI4174DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSO8 МонтажSMD
138.22 ₽
Доступность: 1170 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4174DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 13,5А; 3,2Вт; SO8" 1.

SI4178DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,7А; 5Вт; SO8
0.0
SI4178DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSO8 МонтажSMD
87.61 ₽
Доступность: 461 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4178DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,7А; 5Вт; SO8" 1.

SI4204DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 15,5А; Idm: 50А; 2,1Вт; SO8
0.0
SI4204DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусSO8 МонтажSMD
308.91 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4204DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 15,5А; Idm: 50А; 2,1Вт; SO8" 1.

SI4228DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 8А; Idm: 50А; 2Вт
0.0
SI4228DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
216.01 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4228DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 8А; Idm: 50А; 2Вт" 1.

SI4288DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,4А; 3,1Вт; SO8
0.0
SI4288DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,9нC КорпусSO8 МонтажSMD
146.53 ₽
Доступность: 4290 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4288DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,4А; 3,1Вт; SO8" 1.

SI4401BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,3А; 2,9Вт; SO8
0.0
SI4401BDY-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусSO8 МонтажSMD
247.73 ₽
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4401BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,3А; 2,9Вт; SO8" 1.

SI4401BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,7А; Idm: -50А; 0,95Вт; SO8
0.0
SI4401BDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусSO8 МонтажSMD
327.04 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4401BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,7А; Idm: -50А; 0,95Вт; SO8" 1.

SI4401DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16,1А; Idm: -50А; 4Вт; SO8
0.0
SI4401DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусSO8 МонтажSMD
193.35 ₽
Доступность: 2737 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4401DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16,1А; Idm: -50А; 4Вт; SO8" 1.

SI4401FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -11А; Idm: -80А
0.0
SI4401FDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусSO8 МонтажSMD
197.89 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4401FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -11А; Idm: -80А" 1.

SI4403CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -13,4А; Idm: -40А
0.0
SI4403CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусSO8 МонтажSMD
166.16 ₽
Доступность: 2097 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4403CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -13,4А; Idm: -40А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы - неклассифицированные
Транзисторы биполярные
Транзисторы однопереходные
Транзисторы униполярные
Модули и транзисторы IGBT
Obsolete
Динисторы
Диоды
Комплекты пусковые
Микросхемы
Мосты выпрямительные
Оснащение для полупроводников
Программаторы и стирающие устройства
+3Еще
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж