Товары от производителя VISHAY - страница 1213

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
136.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2307BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC КорпусSOT23 МонтажSMD
65.57 
Доступность: 5072 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2307CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1,8Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
97.65 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2308BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,3А; Idm: 8А; 1,06Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,3нC КорпусSOT23 МонтажSMD
98.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2308BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,8А; 1,06Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
62.72 
Доступность: 8162 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2308CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,6А; Idm: 6А; 1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2309CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -1,6А; Idm: -8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
112.62 
Доступность: 8693 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2309CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,3А; 1,1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2312BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 5А; Idm: 15А; 1,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
67.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2312BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,9А; Idm: 15А; 0,48Вт; SOT23" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
101.92 
Доступность: 8500 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2312CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,1А; 1,3Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2314EDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,9А; Idm: 15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2314EDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,9А; Idm: 15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 
Доступность: 14 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2315BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; 1,19Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
118.32 
Доступность: 112 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2315BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
90.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2316BDS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
125.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2316BDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусSOT23 МонтажSMD
121.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2316DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,3А; 0,45Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2316DS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 3,4А; Idm: 16А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
82.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,5А; 1,3Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
70.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2318DS-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 3А; Idm: 16А; 750мВт" 3.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Вес
Внешние размеры
Материал корпуса
Рабочее напряжение
Срок поставки