Товары из категории транзисторы многоканальные, стр.29

Производитель

Многоканальные транзисторы — это интегрированные полупроводниковые сборки, объединяющие два или более транзистора в одном корпусе, предназначенные для компактной коммутации нескольких сигналов или нагрузок. Используются в системах управления, драйверах светодиодов, интерфейсах ПЛК, HMI и IoT-устройствах.

Позволяют сэкономить место на плате и упростить монтаж.

В каталоге 7-el.ru — многоканальные транзисторы от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Diodes Inc., STMicroelectronics, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SI3439KDWA-TP
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,8нC КорпусSOT363
61.24 
Доступность: 2944 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3439KDWA-TP, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,75/-0,6А; Idm: 3А; ESD" 1.

0.0
SI3552DV-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6/3,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
180.62 
Доступность: 2873 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3552DV-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А" 1.

0.0
SI3585CDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,8/9нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
120.93 
Доступность: 1275 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3585CDV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3,1/-1,7А; 0,9/8Вт" 1.

0.0
SI4228DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
172.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4228DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 8А; Idm: 50А; 2Вт" 1.

0.0
SI4288DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,9нC КорпусSO8 МонтажSMD
136.43 
Доступность: 4399 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4288DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,4А; 3,1Вт; SO8" 1.

0.0
SI4532CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9/12нC КорпусSO8 МонтажSMD
106.98 
Доступность: 2310 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4532CDY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4,9/-3,4А" 1.

0.0
SI4554DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63/20нC КорпусSO8 МонтажSMD
122.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4554DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 8/-8А; SO8" 1.

0.0
SI4559ADY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20/22нC КорпусSO8 МонтажSMD
179.84 
Доступность: 1915 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4559ADY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60/-60В; 4,3/-3,2А" 5.

0.0
SI4590DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4/11,6нC КорпусSO8 МонтажSMD
127.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4590DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-2,7А; 2,3/2,7Вт" 1.

0.0
SI4599DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38/20нC КорпусSO8 МонтажSMD
172.09 
Доступность: 3127 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4599DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 6,8/-5,8А" 1.

0.0
SI4925BDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD
224.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4925BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,7А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
SI4925DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD
225.58 
Доступность: 171 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4925DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,9А; 5Вт; SO8" 1.

0.0
SI4936CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSO8 МонтажSMD
149.61 
Доступность: 2831 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4936CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,6А; Idm: 20А" 1.

0.0
SI4946BEY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
255.81 
Доступность: 20 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4946BEY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8" 1.

0.0
SI4946BEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD
282.95 
Доступность: 59 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4946BEY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8" 5.

0.0
SI4963BDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSO8 МонтажSMD
215.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4963BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
SI5935CDC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусChipFET МонтажSMD
120.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5935CDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET" 1.

0.0
SI6926ADQ-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
237.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6926ADQ-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,6А; 1Вт; TSSOP8" 1.

0.0
SI6926ADQ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
105.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6926ADQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

0.0
SI7288DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
240.31 
Доступность: 2277 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7288DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 20А; Idm: 50А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж