Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы многоканальные

SI3439KDWA-TP, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,75/-0,6А; Idm: 3А; ESD

0.0

КОД:

SI3439KDWA-TP

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,8нC КорпусSOT363

‍67‍ ₽

Доступность: 2944 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI3439KDWA-TP, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,75/-0,6А; Idm: 3А; ESD" 1.

SI3552DV-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А

0.0

КОД:

SI3552DV-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,6/3,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

‍198‍ ₽

Доступность: 2873 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI3552DV-T1-E3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А" 1.

SI3585CDV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3,1/-1,7А; 0,9/8Вт

0.0

КОД:

SI3585CDV-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,8/9нC КорпусTSOP6 МонтажSMD

‍132‍ ₽

Доступность: 1275 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI3585CDV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3,1/-1,7А; 0,9/8Вт" 1.

SI4228DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 8А; Idm: 50А; 2Вт

0.0

КОД:

SI4228DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍188‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4228DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 25В; 8А; Idm: 50А; 2Вт" 1.

SI4288DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,4А; 3,1Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4288DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,9нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍149‍ ₽

Доступность: 4402 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI4288DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,4А; 3,1Вт; SO8" 1.

SI4532CDY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4,9/-3,4А

0.0

КОД:

SI4532CDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9/12нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍117‍ ₽

Доступность: 2334 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI4532CDY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 4,9/-3,4А" 1.

SI4554DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 8/-8А; SO8

0.0

КОД:

SI4554DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63/20нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍134‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4554DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 8/-8А; SO8" 1.

SI4559ADY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60/-60В; 4,3/-3,2А

0.0

КОД:

SI4559ADY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20/22нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍197‍ ₽

Доступность: 1995 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI4559ADY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60/-60В; 4,3/-3,2А" 5.

SI4590DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-2,7А; 2,3/2,7Вт

0.0

КОД:

SI4590DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4/11,6нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍139‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4590DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-2,7А; 2,3/2,7Вт" 1.

SI4599DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 6,8/-5,8А

0.0

КОД:

SI4599DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38/20нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍188‍ ₽

Доступность: 632 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI4599DY-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40/-40В; 6,8/-5,8А" 1.

SI4925BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,7А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4925BDY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍246‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4925BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,7А; 2Вт; SO8" 1.

SI4925DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,9А; 5Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4925DDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍247‍ ₽

Доступность: 298 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI4925DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,9А; 5Вт; SO8" 1.

SI4936CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,6А; Idm: 20А

0.0

КОД:

SI4936CDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍164‍ ₽

Доступность: 2921 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI4936CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 4,6А; Idm: 20А" 1.

SI4946BEY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4946BEY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍280‍ ₽

Доступность: 20 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI4946BEY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8" 1.

SI4946BEY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4946BEY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍310‍ ₽

Доступность: 59 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI4946BEY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8" 5.

SI4963BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4963BDY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSO8 МонтажSMD

‍236‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI4963BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,5А; 2Вт; SO8" 1.

SI5935CDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET

0.0

КОД:

SI5935CDC-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусChipFET МонтажSMD

‍132‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI5935CDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET" 1.

SI6926ADQ-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,6А; 1Вт; TSSOP8

0.0

КОД:

SI6926ADQ-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD

‍260‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI6926ADQ-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,6А; 1Вт; TSSOP8" 1.

SI6926ADQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 20А

0.0

КОД:

SI6926ADQ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD

‍115‍ ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SI6926ADQ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

SI7288DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 20А; Idm: 50А

0.0

КОД:

SI7288DP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

‍263‍ ₽

Доступность: 2349 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SI7288DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 20А; Idm: 50А" 1.