Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 149

Производитель
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора9нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
171.25 
Доступность: 1460 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,9А; 24Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора7,5нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
165.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R2K4P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,7А; 22Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
402.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; 84Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора6нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
111.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R3K3P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора24нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R450P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 7,1А; 73Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
177.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R4K5P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 13Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD80R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 51Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
279.82 
Доступность: 2478 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD80R900P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора110нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90N03S4L02ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 30В; 90А; 136Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора60нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90N04S304ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 90А; 136Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора20нC КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD
225.54 
Доступность: 2259 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD90N04S404ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 81А; Idm: 360А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18нC КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD
149.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90N04S405ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 61А; Idm: 344А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90N06S407ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 63А; Idm: 360А; 79Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток900В
272.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90R1K2C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток900В
227.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD90R1K2C3BTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 3,2А; 83Вт; PG-TO252-3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора15нC КорпусDPAK
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD95R1K2P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 3,7А; 52Вт; DPAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора10нC КорпусDPAK
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD95R2K0P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 2,4А; 37Вт; DPAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора35нC КорпусDPAK
435.78 
Доступность: 1320 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD95R450P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 8,6А; 104Вт; DPAK; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора23нC КорпусDPAK
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD95R750P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 5,5А; 73Вт; DPAK; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусPG-HDSOP-10-1 МонтажSMD
1 010.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPDD60R050G7XTMA1, Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 47А; Idm: 135А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж