Товары из категории транзисторы с каналом n smd, стр.156

Производитель

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
RQ3E070BNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,9нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
93.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E070BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15А; Idm: 28А; 13Вт; HSMT8" 1.

0.0
RQ3E080BNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
79.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E080BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8" 1.

0.0
RQ3E080GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
98.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E080GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 18А; Idm: 32А; 14Вт; HSMT8" 1.

0.0
RQ3E100BNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
76.68 
Доступность: 126 шт.
 

Минимальное количество для товара "RQ3E100BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8" 1.

0.0
RQ3E110AJTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
140.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E110AJTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 24А; Idm: 44А; 15Вт; HSMT8" 1.

0.0
RQ3E120GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
79.84 
Доступность: 2761 шт.
 

Минимальное количество для товара "RQ3E120GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 27А; Idm: 48А; 15Вт; HSMT8" 1.

0.0
RQ3E130BNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
112.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E130BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 52А; 16Вт; HSMT8" 1.

0.0
RQ3E150BNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
139.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E150BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 60А; 17Вт; HSMT8" 1.

0.0
RQ3E150GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,3нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
101.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E150GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 60А; 17Вт; HSMT8" 1.

0.0
RQ3E160ADTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
90.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E160ADTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 16А; Idm: 64А; 2Вт; HSMT8" 1.

0.0
RQ3E180AJTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
128.85 
Доступность: 1196 шт.
 

Минимальное количество для товара "RQ3E180AJTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 30А; Idm: 72А; 30Вт; HSMT8" 1.

0.0
RQ3E180BNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
94.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E180BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 72А; 20Вт; HSMT8" 1.

0.0
RQ3E180GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,4нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
107.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E180GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; Idm: 72А; 20Вт; HSMT8" 1.

0.0
RQ3G100GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
101.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3G100GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 27А; Idm: 40А; 15Вт; HSMT8" 1.

0.0
RQ3G150GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24,1нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
227.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3G150GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 39А; Idm: 60А; 20Вт; HSMT8" 1.

0.0
RQ3L050GNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,3нC КорпусHSMT8 МонтажSMD
147.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3L050GNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 13А; Idm: 20А; 14,8Вт; HSMT8" 1.

0.0
RQ5E025TNTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
104.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E025TNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А; 1Вт; TSMT3" 1.

0.0
RQ5E030AJTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
79.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E030AJTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3А; Idm: 6А; 1Вт; TSMT3" 1.

0.0
RQ5E035BNTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
59.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E035BNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 12А; 1Вт; TSMT3" 1.

0.0
RQ5E040AJTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусTSMT3 МонтажSMD
90.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ5E040AJTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4А; Idm: 16А; 1Вт; TSMT3" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)
Хиты продаж